场效应管电路图工作原理及详解
1.如何分辨三个极？
首先，来看看常见的SO-8封装场效应管
共有八个脚，显然会有几个脚内部是相连的。
第1步： 确定场效应管PIN1（第一脚）
方法：芯片上会用一个小圆点标示出PIN1，它一般会在芯片的左下角。
第2步： 确定场效应管其他脚
方法：从PIN1开始，逆时针方向依次为2，3，…..6，7，8脚。
第3步： 确定三个极。
D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。
它们的位置是相对固定的
常见的NMOS管4816：
请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。
外形上来看，DNF封装的场效应管仍旧有8个脚，但已经变成贴片形式，节约了高度，散热性能更好些。但其PIN脚极性还是一样排列。
还有Ultra SO-8封装的场效应管：
Ultra SO-8封装的场效应管相对DFN封装厚度上有点增加，PIN1,2,3直接相连成为S极。
接下来，看看6个脚的TSOP-6封装场效应管：
PIN1,2,5,6为D极；
PIN3为G极；
PIN4为S极。
同样是6个脚，SOT-363封装场效应管则为双场效应管：
最后，3PIN脚的场效应管： （1）SOT-23
PIN1为G极；PIN2为S极；PIN3为D极。
另外一种3PIN脚的场效应管： （2）TO-252
2.它是N沟道还是P沟道的呢？
先从简单的开始，拿最常见的3PIN脚场效应管（SOT-23）讲起。
先找到场效应管的G,S,D三极。
红表笔（+极）接D极，黑表笔（- 极）接S极：
如果，二极体值低于0.700V以下。
交换表笔：
黑表笔（- 极）接D极，红表笔（+极）接S极：
二极体值高于1.200V以上。
则可以判断，此场效应管为PMOS管。
如果两次测量的结果相反。则为NMOS管。
判断沟道的方法已经介绍了，接下来简单谈下依据。
场效应管（绝缘栅增强型）的G极与S极、D极之间绝缘；而S极与D极在没有导通之前内阻很大，也可以简单认为是断开的。因此，G，D，S之间用二极体档测量时，应该是两两都不相通。
以上是在没有考虑场效应管内部的寄生二极管的前提下得出的结论。
而实际上，在测量判断沟道类型时，这个存在于DS极之间的体内二极管（寄生二极管）才是关键！
3PIN脚的说过了，再来看看6PIN脚的场效应管（ TSOP-6封装）：
在PIN1无法辨认的情况下，如何靠万用表判断三极？
判断原则：
6PIN中相通的4PIN是D极。
之后，对照图确定出G极，S极。
G极，D极和S极知道后，N沟道P沟道的判断方法和前面还是一样：
测量的二极体值相反时，为PMOS管：
DFN封装和Ultra SO-8封装的场效应管因为外形独特，一眼即可辨认D极，其他两极也就好依从判断，用不着万用表。
场效应管无法用眼睛辨认PIN1时，怎样用万用表找G、D、S极？
判断原则：
单边4PIN全通的是D极。
之后，对照下图确定出G极，S极。
根据场效应管有一边存在小小的倒角，仍然能确定PIN1。
至于最后一种场效应管： SOT-363封装双场效应管
因为它的对称性，只要正面朝向自己，无论怎样摆放，左下角都可以认为是PIN1。
所以，在主板上更换这种场效应管时，完全不用担心装反的问题。即使装反了，一样可以正常使用。
三极脚位好判断，沟道类型判断还是和前面一样。
测量的注意事项：
以上都是在场效应管没有被接入任何电路的情形下，进行的测量。
如果场效应管在板时进行测量，测量的值会受到所在电路的影响，有可能会误导判读。 建议在板测量出异常时，最好取下进行一次复判。
测量前，最好用表笔金属针头部分短接场效应管G极与S极，以释放场效应管G极可能残留的静电电荷。因为G极如果存在静电电压可能会造成D与S极处于导通状态，而引起误判。
我们这里测量用的是数字万用表。（当调至“二极管档”时，红表笔是正极（+），黑表笔是负极（-））
如果使用指针式万用表，注意红黑表笔上电压极性刚好相反，请注意测量的结果应该颠倒才对。
3.能测量出场效应管是好是坏吗？
小结：
将万用表调至“二极体档”，用表笔分别接触三个极，测量两两之间的值，并交换位置。这样会有六种组合，测到6个值。
这其中只有1个值会低于0.700V以下（0.200V以上） ——为良品
否则 —— 为次品
测量中，当红表笔接G极，黑表笔接S极之后，有可能在接下来测量
DS这组值时，发现DS间竟短路了，二极体值接近0.001V。 本来在前面刚测量过是好的。有些场效应管短路很快就消失了，而有些则需要较长时间才恢复。
这同样是因为场效应管GS极间存在一定的极间电容，测量中引入的电压在上面残留。如果电压极性刚好符合场效应管导通条件，此时测量DS间当然就会表现为短路现象。只有当GS极间电容上的电荷漏光或消散完后，DS间才会恢复截止状态。
解决的办法是：
用表笔金属针头部分短接场效应管G极与S极，释放场效应管GS极间电容上残留的电荷。 如果再次测量DS间仍然短路，才能判定场效应管短路了。
小结：“场效应管的开关条件”
前面解决了场效应管的接法问题，接下来谈谈场效应管的开关条件：
控制极电平为“ ？V ” 时场效应管导通（饱和导通）？
控制极电平为“ ？V ” 时场效应管截止？
不论N沟道还是P沟道场效应管，G极电压都是与S极做比较
N沟道： UG>US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
P沟道： UG<US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时场效应管才会饱和导通呢？
饱和导通问题：
这要看具体的场效应管，不同场效应管需要的压差不同。
在笔记本主板上用到的NMOS可简单分作两大类：
信号切换用场效应管： UG比US大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。
电压通断用场效应管： UG比US应大于10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，AON6428L，AON6718L，AO4496，AO4712，AO6402A，AO3404，SI3456DDV，MDS1660URH，MDS2662URH，RJK0392DPA，RJK03B9DP。
PMOS管则和NMOS条件刚好相反。
示例1：
NMOS管：2N7002E
示例2：
NMOS管：AON7406
示例3：
PMOS管：AOD425
隔离作用：
如果我们想实现线路上电流的单向流通，比如
方法1：加入一个二机管
方法2：加入场效应管
此处场效应管实现的功能就是：隔离作用。
所以，所谓的场效应管的隔离作用，其实质也就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二级管。
但在电路中我们常用隔离场效应管，是因为：
使用二级管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用场效应管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让场效应管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。
示例1：
PMOS管：AOL1413 作用：隔离
笔记本主板上的隔离，其实质是将适配器电压（+19V）和电池电压（+12V左右）分隔开来。不让它们直接相通。但又能在拔除任意一种电源时，保证电脑都有持续的供电，实现电源无缝切换。
笔记本电脑中用到的隔离场效应管只有两个。
下面我们来分步讨论一下它的原理，为了方便，隔离场效应管都用二级管代替表示。
问题：为什么在不用适配器时，还要用Q1隔离12V呢？
一种解释是：
人们在使用笔记本电脑时，经常会同时插上适配器和电池。如果遇到电网停电，笔记本会自动切换到电池12V供电。这个时候适配器虽然不再供电，但仍相连在笔记本上。如果没有Q1隔离，12V电压会直接进入适配器内部的输出电路，有可能烧毁适配器。
问题：如果不用Q2隔离，同时插上适配器和电池会怎样？
现象是： 大电流。
当然这只有在维修稳压电源上才可以看到：电流直接达到稳压电源的最大值6A以上，短路灯狂闪。
不用Q2隔离，或者是Q2被击穿短路时大电流的原因
电池电压一般是在12V以下，我们就将其看作12V。19V电源呢，我们也可以当作一个大电池，那么一个19V的电池和一个12V的电池如下相连，导线中电流会是多少呢？
经过两次等效，就相当于将一根导线两端接到7V电池的两端。
导线的电阻极小，如果我们认为它是0.1欧姆。那么在导线中流过的电流会是70A
稳压电源的最大电流一般是6A左右，所以会出现大电流报警。
而正常的电池充电电压是经过芯片精密控制的，一般只比电池实际电压高出一点点，以保证电流不会过大造成电池过分发热。
当Q2隔离管击穿短路后，长时间的超负荷工作，极有可能损坏适配器。
场效应管作用总结：
如果场效应管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），
一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。
所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。
P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出
如果场效应管用作隔离时，（不论N沟道还是P沟道），寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。
笔记本主板上用PMOS做隔离管的最常见，但也有极少的主板用NMOS来实现。
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