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  • 大功率mos参数型号表与开关电路特性分析
    • 发布时间:2019-08-17 15:33:39
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    大功率mos参数表
    功率mos
    文中列出了烜芯微半导体大功率mos参数表,请查看下表。先了解一下功率mos,功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。
    功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。功率MOSFET可分为增强型和耗尽型,按沟道分又可分为N沟道型和P沟道型。
    大功率mos参数表
    大功率mos参数表
    烜芯半导体大功率mos参数表如下:

    Part Number

    IDA

    BVDSSv

    Typical

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    MAX

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    ciss

    pF

    4360A

    4

    600

    1.9

    2.3

    511

    5N60E

    4.5

    600

    2

    2.5

    780

    4660A

    7

    600

    1

    1.25

    1120

    5N50H

    5

    500

    1.25

    1.5

    525

    840S

    8

    500

    0.7

    0.9

    960

    4750S

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    4850A

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    6450A

    13

    500

    0.4

    0.48

    2149

    6650A

    15

    500

    0.33

    0.45

    2148

    18N50H

    18

    500

    0.25

    0.32

    2500

    20N50H

    20

    500

    0.21

    0.26

    2700

    24N50H

    24

    500

    0.16

    0.2

    3500

    7650A

    25

    500

    0.17

    0.21

    4280

    8150A

    30

    500

    0.15

    0.2

    4150

    10N80H

    10

    800

    0.85

    1.1

    2230

    4760A

    8

    600

    0.85

    1.1

    1250

    10N60H

    9.5

    600

    0.6

    0.73

    1570

    12N60H

    12

    600

    0.53

    0.65

    1850

    7160A

    20

    600

    0.35

    0.45

    2800

    4365A

    4

    650

    2

    2.5

    523

    7N65H

    7

    650

    1.2

    1.4

    1000

    4665B

    7

    650

    1.1

    1.4

    1048

    4665A

    7.5

    650

    1.1

    1.4

    970

    10N65H

    10

    650

    0.65

    0.75

    1650

    6165A

    10

    650

    0.6

    0.9

    1554

    12N65H

    12

    650

    0.63

    0.75

    1850

    6N70H

    5.8

    700

    1.8

    2.3

    650

    7N80H

    7

    800

    1.4

    1.9

    1300

    9N90S

    9

    900

    1.05

    1.4

    2780

    42150A

    2.8

    1500

    6.5

    9

    1500

    大功率MOS管开关电路
    实例应用电路分析
    1、 三星等离子V2屏开关电源PFC部分激励电路分析;
    如下图1所示是三星V2屏开关电源,PFC电源部分电原理图,图2所示是其等效电路框图。
    大功率mos参数表
    图1
    大功率mos参数表
    图2
    图1所示;是三星V2屏等离子开关电源的PFC激励部分。从图中可以看出;这是一个并联开关电源L1是储能电感,D10是这个开关电源的整流二极管,Q1、Q2是开关管,为了保证PFC开关电源有足够的功率输出,采用了两只MOS管Q1、Q2并联应用(图2所示;是该并联开关电源等效电路图,图中可以看出该并联开关电源是加在整流桥堆和滤波电容C5之间的),图中Q3、Q4是灌流激励管,Q3、Q4的基极输入开关激励信号, VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供电(22.5V)。
    两只开关管Q1、Q2的栅极分别有各自的充电限流电阻和放电二极管,R16是Q2的在激烈信号为正半周时的对Q2栅极等效电容充电的限流电阻,D7是Q2在激烈信号为负半周时的Q2栅极等效电容放电的放电二极管,同样R14、D6则是Q1的充电限流电阻和放电的放电二极管。R17和R18是Q1和Q2的关机栅极电荷泄放电阻。D9是开机瞬间浪涌电流分流二极管。
    大功率MOS管特性
    上述大功率MOS管工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:
    1) MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,所以是电压器件。
    2) MOS管道输入特性为容性特性,所以输入阻抗极高。
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