MOSFET及MOSFET驱动电路根底的一点总结，其中参考了一些材料。
在运用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时分，大部人都会思索MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅思索这些要素。这样的电路或许是能够工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
1.MOS管种类的结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4品种型，但实践应用的只要加强型的N沟道MOS管和加强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号
至于为什么不运用耗尽型的MOS管，不倡议寻根究底。
关于这两种加强型MOS管，比较常用的是NMOS。缘由是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普通都用NMOS。下面的引见中，也多以NMOS为主。
在MOS管原理图上能够看到，漏极和源极，之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。下图是MOS管的结构图，通常的原理图中都画成右图所示的样子。 (栅极维护用二极管有时不画)
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，如右图所示。这不是我们需求的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要费事一些，但没有方法防止，在MOS管的驱动电路设计时再细致引见。
2.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，就能够了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。
在MOS管的构造中能够看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实践上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电霎时能够把电容看成短路，所以霎时电流会比拟大。选择/设计MOS管驱动时第一要留意的是可提供霎时短路电流的大小。
第二留意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。假如在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适宜的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。如今也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，但在12V汽车电子系统里，普通4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，能够参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFET。讲述得很细致，所以不打算多写了。
3、MOS管导通特性
导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，合适用于源极接地时的状况(低端驱动)，只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，运用与源极接VCC时的状况(高端驱动)。但是，固然PMOS能够很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交换品种少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS。
右图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。能够看出小电流时，Vgs到达4V，DS间压降曾经很小，能够认为导通。
4、MOS开关管损失
不论是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因此在DS间流过电流的同时，两端还会有电压(如2SK3418特性图所示)，这样电流就会在这个电阻上耗费能量，这局部耗费的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。如今的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时分，一定不是在霎时完成的。MOS两端的电压有一个降落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
下图是MOS管导通时的波形。能够看出，导通霎时电压和电流的乘积很大，形成的损失也就很大。降低开关时间，能够减小每次导通时的损失;降低开关频率，能够减小单位时间内的开关次数。这两种方法都能够减小开关损失。
5、MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被普遍应用在需求电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。这三种应用在各个范畴都有细致的引见，这里就不多写了。
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