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  • cmos器件受到损害是什么原因-要怎么处理
    • 发布时间:2019-10-23 18:05:12
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    从高电压向低电压变换的接口
    高电压向低电压变换的接口要点不是“L”/“H”的逻辑传输上的问题,而是在低的电压下流入接纳IC的输入部分的电流以及因此引起的器件损伤问题。
    在接纳IC的电源电压比发送lC的电源电压低的场所,如图13.18所示,经过IC②的输入维护电路产牛的稳定电流IIH会导致器件劣化,所以不能够直接中止接口。针对这个问题,如图13. 19所示,采用给信号线插入串联电阻,抑止电流IIH的方法。
    cmos
    以普通的CMOS器件的输入维护二极管电流(额定值20mA)为例来计算串联电阻的值。首先需求把握发送IC的p沟一侧的输出阻抗。
    在图13.19的场所,设VOH=2.5V(VCC:2V+VF:0.5V)时的IOH作为IIH流过接纳IC的输入维护二极管。假定前级IC的输出阻抗为20Ω,那么为了满足额定电流,需求105Q的电阻。由于理论的2电源间的指令序列(ON,OFF的定时)并非完好分歧,所以必需设定接纳IC的Vcc=OV时发送IC流过IOH的最坏条件。因此,为了安全起见,希望电阻值在205Q以上。这样,假设能够把握输出阻抗,也
    容许以在一定程度上制定对策。
    伴随着电子设备的高功用化.节能/低电压化,多电源是一种意向,电源电压不同的IC间的接口曾经是不可避免的。新的输入维护电路在开发中,如图13. 20所示,取掉二极管,断开基于高→低电压间隙的电流通道,有可能成为流利的接口。
    把实现不同电压电平的接口叫做电压变换功用(容忍功用)。附有容忍功用的  IC,能够中止高→低的电压变换,也没有对漏电流/稳定电流的增加和传输延迟时间的滞后作出牺牲。
    过去在维护CMOS器件免受外来浪涌(静电等过电压、过电流)损伤的输入保护电路中,采用简单而高效的一对二极管的方式。为了顺应电压变换接口的需求,往常半导体厂家采用新的维护电路,完成了无二极管的等效结构。
    cmos
    如图13. 21所示,用晶体管的击穿特性交流二极管的正向特性,去掉从输入到VDD线的电流途径。作为维护电路,也能够吸收比VDD线的电压电平更高的正的外来浪涌。当然,这个击穿电压应该设计得比IC内部的初级输入栅耐压低。
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