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  • mos管器件失效的原因是什么造成的
    • 发布时间:2019-10-24 13:51:19
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    mos管器件自身的失效
    普通来说,器件的失效率具有图14.1所示的倾向。反映这种倾向的曲线叫做澡盆曲线。澡盆曲线,如图所示能够分为早期失效、偶然失效、耗损失效三个阶段。
    mos管失效
    1.早期失效
    制造厂家在器件出厂时要进行全数检查,只要电学特性和外观合格者才能进入市场。但是也难免有差的产品混入市场。经过疲倦实验的产品,短时间运用出现的失效能够认为是器件本身的制造质量问题。例如,芯片上布线断开,封装时引线焊接不牢,硅衬底或扩散层发作结晶缺陷,晶体管的电路阈值奇妙地偏离,器件制造时附着上灰尘、人的汗或唾液,随着时间推移惹起性能失效等,都是早期失效的缘由。
    早期失效经过停止老化或者高温通电状态的牢靠性加速实验(~168小时)能够降低。出厂检查时或者按用户请求将各种电子元器件组装成设备出厂行进行这些检查,能够减少早期失效。
    2.偶尔失效
    器件的失效形式没有规律性,或者说没有连续性。呈现在失效率很低的稳定期,要进一步降低失效率有艰难。有时会由于用户的运用环境偶尔呈现器件过载惹起,要辨别失效缘由有艰难。处理方法是确保器件本身设计的坚韧性(巩固性,设计规则上留有一定的余量)。
    但是要进步坚韧性就要增大芯片尺寸。从集成化(芯片尺寸)/成本的角度看是不利的。
    3.耗损失效
    相当于器件的寿命。设计的坚韧性影响很大。半导体产品假如在四周环境(温度、湿度等)以及电学特性额定值以内运用的话,寿命应该在10年以上。
    定制产品或特定用处的ASSP(Application Specific Standard Product,专用定制产品)中,往往是厂家与用户意见一致地决定器件可靠性水平的目标值。
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