CMOS电路的最末级，通常是用显现器显现，或者介入继电器控制大电流，或者向远处传送信号等，很少没有不借助晶体管的。
但是，在与这个晶体管接口时的困难不测地多。例如，由于与晶体管的基极连接的电阻过于小，从CMOS引出过大电流；或者电阻过大，使晶体管无法驱动。
下面对各种场所与晶体管的接口作以说明。
(1)发射极接地NPN晶体管→CMOS：图l3.35(a)一(c)示出同～电源下，Vcc>VDD，Vcc
(2)射极跟随器NPN晶体管→CMOS：与(1)的情况相反，在“L”电平常容易混入噪声，存在从“L”向“H”时容易产生延迟的缺陷。图13.36(a)一(c)示出接口例。
(3)发射极接地PNP晶体管→CMOS：如图13. 37(a)所示，在降落时有延迟，在“L”电平要留意噪声。
(4)射极跟随器PNP晶体管→CMOS:其例子示于图13. 37(b)。与(3)的情况相反，上升时产生延迟，“H”电平抗噪声才干弱。
(5)互补电路→CMOS：在(1)～(4)的电路中，当晶体管个CMOS的布线变长时，在“H”或者“L”电平，噪声容易混入，由于布线电容而增大延迟时间。由于这些缺陷，所以对布线的长度有限制。这种情况下，运用图13.38所示的互补电路使阻抗降落，关于改善噪声和延迟时间有效果。
(6) CMOS→NPN晶体管：CM0S的输出端由于负载过重而招致电流缺乏，或者耐压缺乏的场所，需求这种接口。
由于经过CMOS的p沟FET流出的电流(IOH)变成晶体管的基极电流，所以能够驱动它的hfe的电流。进而在驱动大负载的场所，运用达林顿晶体管。
图13. 39示出NPN晶体管驱动电路的例子。
(7) CMOS→PNP晶体管：图13. 40示出电路例。
(8) CMOS→互补电路：将CMOS电路的信号向远方传送的场所，如前所述，为了抗噪声、防止布线电容惹起的延迟，应该采用互补电路。其接口例子示于图13. 41。
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