(1)场效应管的根本参数
①夹断电压UP 也称截止栅压UGS(OFF)，是在耗尽型结型场效应管或耗尽型绝缘栅型场效应管源极接地的状况下，能使其漏源输出电流减小到零时所需的栅源电压UGs。
②开启电压UT 也称阀电压，是加强型绝缘栅型场效应管在漏源电压UDS为-‘定值时，能使其漏、源极开端导通的最小栅源电压UGS。
③饱和漏电流IDSS 是耗尽型场效应管在零偏压（即栅源电压UGS为零）、漏源电压UDS大于夹断电压UP时的漏极电流。
④击穿电压BUDS和BUGS
a．漏源击穿电压BUDS。也称漏源耐压值，是当场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时，使漏极电流ID忽然增大且不受栅极电压控制时的最大漏源电压。
b．栅源击穿电压BUGS。是场效应管的栅、源极之间能接受的最大工作电压。
⑤耗散功率PD 也称漏极耗散功率，该值约等于漏源电压UDS与漏极电流ID的乘积。
⑥漏泄电流ICSS 是场效应管的栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。
⑦直流输入电阻RGS 也称栅源绝缘电阻，是场效应管栅沟道在反偏电压作用下的电阻值，约等于栅源电压UGS与栅极电流的比值。
⑧漏源动态电阻RDS 是漏源电压UDS的变化量与漏极电流ID的变化量之比，普通为数千欧以上。
⑨低频跨导gm 也称放大特性，是栅极电压UG对漏极电流ID的控制才能，相似于三极管的电放逐大倍数β值。
⑩极间电容 是场效应管各极之间散布电容构成的杂散电容。栅源极电容（输入电容）CGS和栅漏极电容CGD的电容量为1~3pF，漏源极电容CDS的电容量为o．1~lpF。
(2)常用场效应管的主要参数
局部结型场效应晶体管的主要参数见表3-9。局部N沟道耗尽型MOS场效应晶体管的主要参数见表3-10。局部加强型MOS场效应晶体管的主要参数见表3-11。
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