对于一个电子产品，总功耗为该产品正常工作时的电压与电流的乘积，这就是低功耗设计的需要注意事项之一。
为了降低产品的功耗，在电子产品开发时尽量采用低开启电压MOS管的产品。比如一个产品，曾经用5v单片机正常工作，后来又了3.3v的单片机或者工作电压更低的，那么就是在第一层次中进行了低功耗设计，这也就是我们常说的研发前期低功耗器件选择。这一般需要有广阔的芯片涉猎范围或者与供应商有良好的沟通。
其次是模块工作的选择控制，一般选择具有休眠功能的芯片。比如在设计一个系统中，如果某些外部模块在工作中是不经常使用的，我们可以使其进入休眠模式或者在硬件电路设计中采用数字开关来控制器工作与否，当需要使用模块时将其唤醒，这样我们可以在整个系统进入低功耗模式时，关闭一些不必要的器件，以起到省电的作用，延长了待机时间。一般常用方法：①具有休眠模式的功能芯片②MOS管做电子开关③具有使能端的LDO芯片。
再次，选择具有省电模式的主控芯片。现在的主控芯片一般都具有省电模式，通过以往的经验可以知道，当主控芯片在省电模式条件下，其工作电流往往是正常工作电流的几分之一，这样可以大大增强消费类产品电池的使用时间。同时，现在一些控制芯片具有双时钟的模式，通过软件的配置使芯片在不同的使用场合使用不同的外部始终从而降低其功耗。这与始终分频器具有异曲同工之妙，不同之处想必就是BOM的价格问题。现在火爆的APPLE WATCH就是低功耗的一个例子：全功能运行3-4小时，持续运行18小时。
主控芯片或者相关模块唤醒的方式选择。通常进过以上的步骤设计好了硬件结构，在系统需要省电，在什么时候进入省电模式，这一般在软件设计中实现，但是最主要还是需要根据产品的功能特性来决定了。当系统进入了省电模式，而系统的唤醒也需要控制。一般系统的唤醒分为自动唤醒和外部唤醒。
A、自动唤醒是使用芯片内部的定时器来计时睡眠时间，当睡眠时间达到预定时间时，自动进行唤醒。这与我们使用的看门狗或者中断有比较相近之处，不同就是其工作与否的时序。
B、 外部唤醒就是芯片一直处于一种休眠状态，当有一个外部事件(主要是通过接口)来对芯片进行一个触发，则芯片会唤醒，在事件处理之后消除该触发事件而在此进入休眠状态。因此，根据系统的特性，就需要进行软件设计时，来决定如何使用睡眠及唤醒，以降低系统的功耗。
低内阻mos管
MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。但是一般mos管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。
内阻的特点
1、创新高压技术
2、低栅极电荷
3、定期额定雪崩
4、较强dv/dt能力
5、高电流峰值
低开启电压mos管型号
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
RDS（Ω）（MAX） |
RDS（Ω）（TYP） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
5610 |
5.4 |
100 |
0.31 |
0.28 |
508 |
|
840S |
8 |
500 |
0.9 |
0.7 |
960 |
|
4820A |
9 |
200 |
0.4 |
0.26 |
670 |
|
10N60H |
9.5 |
600 |
0.73 |
0.6 |
1570 |
|
6035 |
11 |
350 |
0.48 |
0.38 |
844 |
|
12N60H |
12 |
600 |
0.65 |
0.53 |
1850 |
|
13N50H |
13 |
500 |
0.48 |
0.4 |
1600 |
|
6410A |
15 |
100 |
0.09 |
0.072 |
1480 |
|
16N50H |
16 |
500 |
0.38 |
0.32 |
2200 |
|
7610A |
25 |
100 |
0.038 |
0.032 |
2020 |
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