mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数，每个详细参数如下：
Rds(on)----------DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id------------------最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs----------------最大GS电压.一般为：-40V~+40V
Idm---------------最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg---------------最大存储温度
Iar-----------------雪崩电流
Ear---------------重复雪崩击穿能量
Eas---------------单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss------------DS击穿电压
Idss---------------饱和DS电流，uA级的电流
Igss---------------GS驱动电流，nA级的电流.
gfs----------------跨导
Qg----------------G总充电电量
Qgs--------------GS充电电量
Qgd-------------GD充电电量
Td(on)---------导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr----------------上升时间，输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Td(off)----------关断延迟时间，输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间
Tf-----------------下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间
Ciss---------------输入电容，Ciss=Cgd+Cgs.
Coss--------------输出电容，Coss=Cds+Cgd.
Crss---------------反向传输电容，Crss=Cgc.
了解完mos管每个参数就知道如何选择适合mos管型号，型号选择请参考《mos管封装参数表》更可以直接下载对应型号的PDF规格书技术文档。
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