在半导体电子应用过程中，场效应管（简称MOS管）经常会出现发热严重的现象，那么是什么原因才会导致MOS管严重发热？
首先我们需要了解MOS管的构造原理，如下图：
从上图可以看出，场效应管（MOS管）是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件，进一步可以划分为有N沟道器件和P沟道器件，关于MOS管的详细介绍可以通过上文《细说MOS管一》和《细说MOS管二》
结合细说MOS管一和细说MOS管二的内容，我将MOS管发热严重的原因总结为以下四点：
第一点：电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误；
第二点：MOS管频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了；
第三点：电路板没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片；
第四点：MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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