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  • 高性能(SiC)肖特基二极管的特性图
    • 发布时间:2020-03-18 16:04:52
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    高性能(SiC)肖特基二极管的特性图
    高性能肖特基二极管材料
    碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)
    具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。  
    肖特基二极管
    碳化硅肖特基二极管特性
    安森美半导体(onsemi)推出的FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,利用新的半导体材料 —— 碳化硅(SiC)提升了硅二极管的系统效率,支持更高的工作频率,并且有助于提高功率密度,降低系统尺寸/成本。
    肖特基二极管
    肖特基二极管的作用
    FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管可工作于1200V/30A环境,最大结温175°C,雪崩额定值145mJ,高浪涌电流容量,正温度系数,无反向恢复/无正向恢复,具有高可靠性,确保了在浪涌或过压条件期间的可靠运行。
    作为一种高压二极管,FFSH30120ADN采用表面贴装,主要用于开关电源、太阳能逆变器、UPS,以及电源开关电路等。
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