与BJT-双极结型晶体管不同，FET-场效应晶体管不会发生热失控，正如我们已经讨论过的那样。然而，最大和最小传输特性的巨大差异使得ID电平不可预测，具有简单的固定栅极偏置电压。为了获得静态漏极电流ID和漏极 - 源极电压VDS的合理限制，必须使用源电阻器和分压器偏置技术。除了少数例外，MOSFET偏置电路与用于JFET的电路类似。下面讨论各种FET（场效应晶体管）偏置电路：
固定偏置
固定偏置场效应晶体管
FET-场效应晶体管器件的直流偏置需要设置栅源电压VGS来获得所需的漏电流ID。对于JFET，漏极电流受饱和电流IDS的限制。由于FET-场效应晶体管具有如此高的输入阻抗，因此没有栅极电流流动，并且由分压器或固定电池电压设置的栅极的直流电压不会受到FET（场效应晶体管）的影响或负载。
固定直流偏压是使用电池VQG获得。该电池确保栅极相对于源极总是负的，并且没有电流流过电阻器RG和栅极端子，即IG = 0。电池提供一个电压VGS以偏置N沟道JFET，但没有从电池VGG汲取电流。包括电阻器RG以允许通过电容器C施加的任何交流信号在RG上产生。虽然任何交流信号将发展跨越RG，直流电压下降通RG等于IG RG即0伏。
栅极-源极电压VGS则为
VGS = – vG – vs = – vGG – 0 = – VGG
然后，漏极 - 源极电流ID由栅极 - 源极电压固定，如通过等式确定的。
该电流然后使得跨越该漏极电阻器R的电压降d和给出 VRD = ID RD 和输出电压，Vout = VDD – ID RD
自偏置电路
FET-场效应晶体管自偏置电路
这是偏置JFET的最常用方法，用于N沟道JFET的自偏置电路如图所示。
由于没有栅极电流流过反向偏置栅极 - 源极，因此栅极电流IG = 0，因此vG = iG RG = 0
利用漏极电流ID，S处的电压为 Vs= ID Rs
然后是栅极 - 源极电压
VGs = VG – Vs = 0 – ID Rs = – ID Rs
因此，电阻Rs上的电压降提供了偏置电压VGg，并且不需要外部源来进行偏置，这就是它被称为自偏置的原因。
工作点（即零信号ID和VDS）可以 通过以下公式和公式轻松确定：
VDS = VDD – ID (RD + RS)
因此，JFET放大器的直流条件已完全确定.JFET的自偏置使其静态工作点稳定，以防止其跨参数等参数发生任何变化。让给定的JFET被另一个具有双重电导的JFET代替，那么漏极电流也将试图加倍，但由于RS上的电压降任何增加，因此栅极 - 源极电压VGS变得更负，因此漏极增加电流减少了。
电位分压器偏置
FET-场效应晶体管电位分压器偏置
图中所示的电路提供了略微修改的直流偏置形式。电阻器RGl 和 RG2 在漏极电源VDD 上形成分压器。RG2 上的电压V2 提供必要的偏置。从栅极到电源电压的附加栅极电阻RGl 有利于更大的直流偏置点的调整，并允许使用更大的RS值。
栅极反向偏置，使得IG = 0 并且栅极电压
VG =V2 = (VDD/R G1 + R G2 ) *RG2
和
VGS = vG – vs = VG – ID Rs
该电路设计为ID Rs 大于VG ，因此 VGS 为负。这提供了正确的偏置电压。
操作点可以确定为
ID = (V2 – VGS)/ RS
和
VDS = VDD - ID (RD + RS)
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