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  • MOSFET-场效应晶体管适用于热插拔与电子熔丝应用的任何电流
    • 发布时间:2020-04-16 17:09:32
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    MOSFET-场效应晶体管适用于热插拔与电子熔丝应用的任何电流范围
    MPS提供可扩展的均流电子熔丝解决方案,内置MOSFET(场效应晶体管),电流和温度检测,软启动斜坡控制和保护功能。
    在典型的热插拔或电子保险丝(电子保险丝)应用中,在选择MOSFET(场效应晶体管)时必须非常小心,以确保在软启动(SS)转向期间不超过器件的安全工作区(SOA) - 上。即使多个MOSFET并联,软启动条件也会产生大量的热应力。
    通常,在热插拔和电子熔丝应用中使用分立MOSFET时,假设只有一个MOSFET-场效应晶体管传导整个软启动电流。这是由于每个MOSFET的栅极阈值电压的变化。因此,即使可能存在多个并联的MOSFET,所有功率损耗都在一个器件中。这需要过大的MOSFET额定值和封装尺寸,从而推动PCB面积。对于典型的热插拔/电子熔断器应用,需要精密电流检测电阻和控制器来提供SS时序,温度保护和过流保护(OCP)。
    的MPS MP5921提供了一个简单且可堆叠的积木一个创新的热插拔/ e熔丝应用。MP5921具有内置MOSFET(场效应晶体管),电流检测,温度检测,软启动斜坡控制和高级保护功能。采用先进的单片工艺,可实现热插拔和电子熔丝解决方案的用户友好型实现(图1)。
    场效应晶体管
    图1:热插拔/电子熔丝应用组件。
    MP5921采用先进的单片工艺,在软启动过程中主动监控和驱动内部MOSFET,以确保MOSFET的SOA。利用这种单片工艺,MP5921可以精确测量流经内部MOSFET的电流。
    由于能够监控通过内部MOSFET的电流,并联连接的多个MP5921器件可在软启动条件下主动平衡流经每个器件的电流。这可确保每个器件均等地承载软启动电流,并且没有一个器件承载完整的软启动负载电流。由于软启动电流在器件之间平行平衡,因此极大地降低了违反MOSFET的SOA的风险,并且热能更均匀地分布在PCB上。
    图2显示了在带DC负载的软启动期间并联的三个MP5921器件的电流共享。并联的所有三个器件均匀地共享软启动负载电流。
    场效应晶体管
    图2:三个并联的MP5921器件。
    如果将各个电流的走线设置在同一原点上,则可以看出它们完全重叠(图3)。
    场效应晶体管
    图3:具有相同原点的电流。
    MP5921可以扩展,以支持热插拔和电子熔丝解决方案所需的任何电流范围。MP5921的额定电流为60 A,采用4 x 5 mm封装,提供极其密集的热插拔/电子熔断器解决方案。每个MP5921都具有内置保护功能,可监控损坏的MOSFET,内部MOSFET的过温情况,软启动看门狗定时器和过流保护。
    MP5921还具有内置短路保护(SCP)功能,可在短时间检测的200 ns内禁用内部MOSFET。这种快速禁用功能可防止在发生输出短路的PCB上产生大量电流。
    MP5921为空间关键型设计提供了强大且用户友好的解决方案,可扩展以满足所有类型的热插拔/电子熔断器应用的设计要求。
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