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  • Cmos IC器件如何保护
    • 发布时间:2020-04-22 16:47:10
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    Cmos IC器件如何保护
    如何保护Cmos IC设备
    保护Cmos IC器件
    Cmos IC保护电路
    所有MOS管器件都具有绝缘栅极,可能会发生电压击穿。例如,用于摩托罗拉CMOS器件的栅极氧化物厚度约为900 A,并且在栅极 - 源极电位约为100伏时发生击穿。为了防止这种由静态放电或其他电压瞬态引起的击穿,使用图中所示的保护网络在CMOS器件的每个输入端。
    静电损坏设备的行为方式不同,具体取决于损坏的严重程度。最严重损坏的输入是最容易检测的,因为输入已被完全破坏,并且短路VDD,短路至Vgs或开路。效果是该装置不再响应信号存在于受损的输入。较不严重的情况更难以检测,因为它们表示间歇性故障或性能下降 。静态损坏的另一个影响是输入通常具有增加的泄漏电流。
    尽管输入保护网络提供了大量保护,但CMOS器件工作并不能免受在处理期间可能产生的大静电压放电的影响。例如,在4-15kV范围内(取决于湿度,表面条件等)测量了在蜡地板上行走的人产生的静电电压。
    保护/安全防护Cmos设备的重要预防措施
    1. 不要超过数据表中规定的最大额定值 。
    2. 所有未使用的设备输入应连接到VDD 或Vss 。
    3. 只有在器件通电后,所有低阻抗设备(脉冲发生器等)才应连接到CMOS输入。同样,在关闭电源之前应断开此类设备。
    4. 包含CMOS器件的电路板仅仅是器件的扩展,并且适用相同的处理预防措施。 接触直接连接到设备输入的边缘连接器可能会导致损坏。应避免塑料包装。虽然与PC板的外部连接连接到CMOS器件的输入,但应使用与输入串联的电阻。如果取下PC板并使其与静电产生材料接触,该串联电阻有助于限制意外损坏。串联电阻的限制因素是增加的延迟。这是由串联电阻和输入电容形成的时间常数引起的。请注意,不应超过最大输入上升和下降时间。在图中 使用串联电阻显示两个可能的网络,以减少ESD(静电放电)损坏。
    这些网络对保护有用
    · 数字输入和输出
    · 模拟输入和输出
    · 3状态输出
    · bidiSrectional(I / O)端口。
    5. 所有CMOS器件都应采用抗静电材料储存或运输。CMOS设备不得插入传统的塑料“雪”,塑料泡沫或塑料托盘中,但应留在原始容器中直到准备使用。
    6. 所有CMOS器件应放置在地面工作台表面上,操作人员应在操作设备之前将其自身接地,因为工人可以相对于工作台表面静电。强烈建议使用与皮肤接触的腕带。
    7. 尼龙或其他静电产生材料不应与CMOS器件接触。
    8. 如果使用自动处理器,则设备,皮带或板的移动可能会产生大量静电。使用电离式鼓风机或室内加湿器减少静电积聚。与IC封装的顶部,底部或侧面接触的所有机器部件必须接地到金属或其他导电材料。
    9. 使用CO2 进行冷却的冷室应配备挡板,CMOS器件必须包含在导电材料上或导电材料中。
    10. 当需要进行引线矫直或手工焊接时,请为所用设备提供接地带,并确保焊接接头接地。
    11. 强烈建议使用静电检测仪进行生产线监测。
    12. 设备规格应提醒用户存在CMOS设备,并且在执行任何类型的维护或更换设备或模块之前需要熟悉本规范。
    13. 请勿在接通电源的情况下从测试插座插入或移除CMOS器件。检查用于测试设备的所有电源,确保没有电压瞬变。
    14. 在进行参数或功能测试之前,请仔细检查测试设备的设置,确保VDD 和Vss 的极性正确。
    15. 不要回收运输导轨或托盘。反复使用会导致其抗静电涂层变质。
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