您好!欢迎光临烜芯微科技品牌官网!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • 晶体管原理-基础知识与晶体管电路设计
    • 发布时间:2020-04-25 15:36:46
    • 来源:
    • 阅读次数:
    晶体管原理-基础知识与晶体管电路设计
    晶体管是当今电子技术的核心。晶体管的发展导致了世界的许多变化。
    晶体管的引入使我们今天认为理所当然的许多技术:从便携式晶体管收音机到手机,电脑,远程操作,我们在当今汽车中理所当然的功能等等。。。。通过晶体管的发明,所有这些以及更多的日常用品都成为可能。
    晶体管原理
    塑料引线晶体管选择
    今天,晶体管有多种形式。有引线形式的基本晶体管或表面贴装晶体管。但晶体管也广泛用于集成电路中。大多数数字IC使用场效应技术,但许多模拟IC使用双极技术来提供所需的性能。
    晶体管开发
    半导体技术现已成熟,但已使用了一百多年。20世纪初,当第一批无线或无线电设备被使用时,人们注意到了第一个半导体效应。正在研究各种想法作为探测器。热离子阀或真空管技术于1904年推出,但这些设备价格昂贵,并且还需要通过电池供电。不久之后,发现了Cat's Whisker探测器。这包括放置在多种类型材料中的一种上的细线。这些材料现在称为半导体,并构成现代电子技术的基础。
    晶体管历史记录:
    双极晶体管是由贝尔实验室的三名研究人员发明的:John Bardeen,Walter Brattain和William Schockley。他们一直在研究一种利用场效应控制半导体电流的想法,但他们无法使这个想法发挥作用。他们将注意力转向另一种可能性,并使用锗晶片上的两个紧密间隔的点接触制作三端子器件。这个想法奏效了,他们能够证明它在1949年末提供了收益。
    旧的OC71晶体管的图像 - 这种类型是由大盾于1954年在英国引入的,但生产持续到这个日期到20世纪60年代
    晶体管原理
    旧的OC71晶体管的图像
    在制定了基本思想之后,采用半导体技术需要一些时间,但一旦实现,它就像我们今天所知的那样以一种主要方式起飞。
    什么是双极晶体管
    双极晶体管需要与场效应晶体管区分开来。双极晶体管的名称源于它在操作中同时使用空穴和电子这一事实。场效应晶体管是使用一种或任一类型的电荷载体的单极器件。
    双极晶体管,或更确切地说是双极结型晶体管BJT,具有两个背靠背的二极管结。双极晶体管有三个端子,分别是发射极,基极和集电极。
    晶体管放大电流 - 双极晶体管是电流器件,不像热电子管真空管和FET是电压器件。流入基极电路的电流影响在集电极和发射极之间流动的电流。
    晶体管电路设计注意事项:
    晶体管是三端器件,提供电流增益。有三种配置可用于晶体管:共发射极,共集电极和公共基极。每个都具有不同的特性,并且通过围绕这些配置中的一个配置电路,可以实现所需的特性。
    基本晶体管结构
    晶体管是三端器件,由三个不同的层组成。其中两个被掺杂以给出一种类型的半导体,并且存在相反的类型,即两个可以是n型和一个p型,或者两个可以是p型而一个可以是n型。它们是这样,晶体管的两个相似层被夹在相反类型的层中。结果,根据它们的组成方式,晶体管被指定为PNP(PNP)类型的NPN(NPN)类型。
    晶体管原理
    晶体管基本结构和电路符号
    广泛使用的三个电极的名称,但其含义并不总是被理解:
    • 基极:  晶体管的基极得益于这样的事实:在早期的晶体管中,这个电极形成了整个器件的基极。最早的点接触晶体管具有放置在基底材料上的两个点接触。该基础材料形成基础连接。。。这个名字卡住了。
    • 发射器:  发射器的名称来自它发射电荷载体的事实。
    • 收集器:  收集器的名称来自它收集电荷载体的事实。
    对于晶体管的操作,基区非常薄是必要的。在今天的晶体管中,基极通常仅约1μm。事实上,晶体管的基极区很薄,这是器件工作的关键
    晶体管原理
    晶体管可以被认为是背靠背放置的两个PN结。其中之一,即基极发射极结正向偏置,而另一个,基极集电极结反向偏置。已经发现,当使电流在基极发射极结中流动时,即使基极集电极结被反向偏置,在集电极电路中流过更大的电流。
    为清楚起见,采用NPN晶体管的示例。同样的推理可以用于PNP器件,除了空穴是多数载流子而不是电子。
    当电流流过基极发射极结时,电子离开发射极并流入基极。然而,该区域中的掺杂保持较低,并且可用于重组的孔相对较少。结果,大多数电子能够直接流过基极区并进入集电极区,被正电位吸引。
    晶体管原理
    基本晶体管工作原理图
    显示NPN晶体管的工作原理
    只有一小部分来自发射极的电子与基极区中的空穴结合,从而在基极 - 发射极电路中产生电流。这意味着集电极电流要高得多。
    集电极电流和基极电流之比用希腊符号Β给出。对于大多数小信号晶体管,这可能在50到500的范围内。在某些情况下,它甚至可以更高。这意味着集电极电流通常是在基极中流动的电流的50到500倍。对于高功率晶体管,B的值稍微小一些:20是相当典型的值。
    烜芯微专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等20年,工厂直销省20%,1500家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
    相关阅读