碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。
肖特基二极管原理图示例
FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管没有开关损耗，利用新的半导体材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二极管的系统效率，支持更高的工作频率，并且有助于提高功率密度，降低系统尺寸/成本。
碳化硅肖特基二极管参数表
FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管可工作于1200V/30A环境，最大结温175°C，雪崩额定值145mJ，高浪涌电流容量，正温度系数，无反向恢复/无正向恢复，具有高可靠性，确保了在浪涌或过压条件期间的可靠运行。
作为一种高压二极管，FFSH30120ADN采用表面贴装，主要用于开关电源、太阳能逆变器、UPS，以及电源开关电路等。
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