您好!欢迎光临烜芯微科技品牌官网!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • mos管特性曲线-电流方程与参数详解
    • 发布时间:2020-06-04 16:45:53
    • 来源:
    • 阅读次数:
    mos管特性曲线-电流方程与参数详解
    mos管
    本文主要讲N沟道增强型mos管特性曲线、电流方程及参数MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。
    一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。
    mos管特性曲线、电流方程及参数详解
    (一)mos管特性曲线、电流方程
    mos管特性曲线
    1、mos管特性曲线-输出特性曲线:N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。
    2、mos管特性曲线-转移特性曲线:转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。
    iD与vGS的近似关系
    与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为:
    mos管特性曲线
    式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。
    (二)参数
    MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ,而用开启电压VT表征管子的特性。
    各种场效应管特性比较
    各类FET的特性如下表所示:
    mos管特性曲线
    mos管三个工作区-完全导通区、截止区、线性区分析
    (1)可变电阻区(也称非饱和区)
    满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小,沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时,ip与uDs成线性关系,该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。
    (2)恒流区(也称饱和区、放大区、有源区)
    满足Ucs≥Ucs(h)且Ubs≥UcsUssth),为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域,在该区域内,当uGs一定时,ib几乎不随UDs而变化,呈恒流特性。i仅受UGs控制,这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时,一般就工作在该区域,所以也称为放大区。
    (3)夹断区(也称截止区)
    夹断区(也称截止区)满足ucs《Ues(th)为图中靠近横轴的区域,其沟道被全部夹断,称为全夹断,io=0,管子不工作。
    (4)击穿区位
    击穿区位于图中右边的区域。随着UDs的不断增大,pn结因承受太大的反向电压而击穿,ip急剧增加。工作时应避免管子工作在击穿区。
    转移特性曲线可以从输出特性曲线。上用作图的方法求得。例如在下图(a)中作Ubs=6V的垂直线,将其与各条曲线的交点对应的i、Us值在ib- Uss 坐标中连成曲线,即得到转移性曲线,如图下(b)所示。
    mos管特性曲线
    烜芯微专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等20年,工厂直销省20%,1500家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
    相关阅读