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  • 开关电源MOS管如何选
    • 发布时间:2020-06-29 18:04:26
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    开关电源MOS管如何选
    在开关电源当中,开关管的关断和开通时间影响着开关电源的工作效率,而MOS管的一些参数起着决定性的作用,那么MOS管的选择又存在哪些技巧呢?
    由于MOS管对电路的输出有很好的益处,其在电源中经常被当作开关元件使用。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源,以支持N+1冗余与持续工作(图1)。各并行电源平均分担负载,确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。不过,这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起,并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。在每个电源的输出端,有一个功率MOS管可以让众电源分担负载,同时各电源又彼此隔离 。起这种作用的MOS管被称为“Oring”FET,因为它们本质上是以 "OR" 逻辑来连接多个电源的输出。
    开关电源MOS管
    图1:用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管
    因为在服务器当中,电源是不断工作着的,所以MOS管作为开关器件,始终是处于导通的状态。其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时。相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例,在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。
    一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说,RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态参数。
    如想要设计出体积更小,成本更低的电源,就需要充分重视低导通阻抗。在电源设计中,每个电源常常需要多个ORing MOS管并行工作,需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下,设计人员必须并联MOS管,以有效降低RDS(ON)。
    需要注意的是,当处于DC电路当中时,并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如,两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻 。因此,一般来说,一个低RDS(ON) 值的MOS管,具备大额定电流,就可以让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至最少。
    此外,还有一些参数是在MOS管的选型时必须要重视的。许多情况下,设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线,该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上,SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。在ORing FET应用中,首要问题是:在“完全导通状态”下FET的电流传送能力。实际上无需SOA曲线也可以获得漏极电流值。
    当电路设计目标是为了实现热插拔功能时,SOA曲线更能发挥其本身的作用。在这种情况下,MOS管需要部分导通工作。SOA曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。
    顺带一提,刚才提到的额定电流也是一个需要思考的热参数。因为始终导通的MOS管很容易发热。另外,日渐升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之,在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直MOS管,即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗,在数据手册中有描述。若采用PowerQFN封装,管壳定义为这个大漏极片的中心。因此,RθJC 定义了裸片与封装系统的热效应。RθJA 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗,而且一般通过一个脚注来标明与PCB设计的关系,包括镀铜的层数和厚度。
    开关电源中的MOS管
    现在让我们考虑开关电源应用,以及这种应用为何需要从一个不同的角度来审视数据手册。从定义上而言,这种应用需要MOS管定期导通和关断。同时,有数十种拓扑可用于开关电源,这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器,依赖两个MOS管来执行开关功能(图2),这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。目前,设计人员常常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。
    开关电源MOS管
    图2:用于开关电源应用的MOS管对。(DC-DC控制器)
    之所以会有这么多文章来讲开关电源当中的MOS管选择,是因为开关电源的设计复杂,而却没有适用于MOS管选择的计算公式。所以在此时,不妨考虑一些关键的参数,以及这些参数为什么至关重要。传统上,许多电源设计人员都采用一个综合品质因数[栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON)]来评估MOS管或对之进行等级划分。
    栅极电荷和导通阻抗之所以重要,是因为二者都对电源的效率有直接的影响。对效率有影响的损耗主要分为两种形式--传导损耗和开关损耗。
    栅极电荷是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷单位为纳库仑(nc),是MOS管栅极充电放电所需的能量。栅极电荷和导通阻抗RDS(ON) 在半导体设计和制造工艺中相互关联,一般来说,器件的栅极电荷值较低,其导通阻抗参数就稍高。开关电源中第二重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。
    某些特殊的拓扑也会改变不同MOS管参数的相关品质,例如,可以把传统的同步降压转换器与谐振转换器做比较。谐振转换器只在VDS(漏源电压)或ID (漏极电流)过零时才进行MOS管开关,从而可把开关损耗降至最低。这些技术被称为软开关、零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS)技术。由于开关损耗被最小化,RDS(ON) 在这类拓扑中显得更加重要。
    低输出电容(COSS)值对这两类转换器都大有好处。谐振转换器中的谐振电路主要由变压器的漏电感与COSS决定。此外,在两个MOS管关断的死区时间内,谐振电路必须让COSS完全放电。
    低输出电容也有利于传统的降压转换器(有时又称为硬开关转换器),不过原因不同。因为每个硬开关周期存储在输出电容中的能量会丢失,反之在谐振转换器中能量反复循环。因此,低输出电容对于同步降压调节器的低边开关尤其重要。
    本篇文章对开关电源当中的MOS管参数选择给出了一些意见。特别是对其中一些重要的参数进行了着重的讲解。通过参数的确定,我们就能更加快速准确的为开关电源选择合适的MOS管。
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