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  • ES1G超快恢复二极管,1A,400V,SMA/SMAF/SOD-123封装,ES1G参数规格书
    • 发布时间:2021-07-24 15:05:24
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    ES1G超快恢复二极管,1A,400V,SMA/SMAF/SOD-123封装,ES1G参数规格书
    ES1G贴片超快恢复二极管,1A,400V,ES1G封装有SMA/SMAF/SOD-123多种封装,ES1G封装不同,则尺寸不同,参数一致
    ES1G超快恢复二极管/SMA参数规格书: 点击下载
    ES1G超快恢复二极管/SMAF参数规格书: 点击下载
    ES1G超快恢复二极管/SOD-123参数规格书: 点击下载
    ES1G
    ES1G,SMA/SMAF/SOD-123封装参数如下:
    ES1G
    Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重复峰值反向电压:400V
    Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流闭锁电压:400V
    Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流电流:1A
    Maximum instantaneous forward voltage at 1A VF 1A时的最大瞬时正向电压:1.3V
    Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流:5.0uA
    Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流:100uA
    Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作温度和存储温度范围:-55to +150℃
    Maximum reverse recovery time  恢复时间:35ns
    ES1G超快恢复二极管,DO-214AC/SMA封装尺寸:
    ES1G
    ES1G超快恢复二极管,SMAF封装尺寸:
    ES1G
    ES1G超快恢复二极管,SOD-123封装尺寸:
    ES1G
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