5N65场效应管,5A 650V,5N65参数资料,5N65引脚图,5N65中文资料规格书PDF
5N65/TO-220F参数封装：点击查看
5N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252
5N65场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：5A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：3.1A
Power Dissipation 功率损耗Pd：35W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=2.5A,VGS=10V：tYP 2.4Ω Max 2.8Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
5N65场效应管/TO-220封装尺寸：
5N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
5N65场效应管/TO-252封装尺寸：
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