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1N10/SOT-23封装参数：点击查看
1N10场效应管参数具体如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：1.5A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：1.2A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：1.2W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1.5A,VGS=10V：Typ 430mΩ Max 500mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1A,VGS=4.5V：Typ 460mΩ Max 550mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
1N10场效应管/SOT-23封装尺寸：
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