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55N10/TO-220参数封装：点击查看
55N10封装有TO-220/TO-220F/TO-252
55N10场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：55A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：
Power Dissipation 功率损耗Pd：50W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V：Typ 15mΩ Max 21mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
55N10场效应管/TO-220封装尺寸：
55N10场效应管/TO-220F封装尺寸：
55N10场效应管/TO-252封装尺寸：
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