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4P20/TO-220F参数封装：点击查看
4P20封装有TO-220/TO-220F/TO-252
4P20场效应管参数如下:
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-200V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-4A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：-2.3A
Power Dissipation 功率损耗Pd：2.5W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2.2A,VGS=-10V： Max 1.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
4P20场效应管/TO-220封装尺寸：
4P20场效应管/TO-220F封装尺寸：
4P20场效应管/TO-252封装尺寸：
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