MOS管静态功耗步骤
如下图所示的NMOS反相器，现在要计算其静态功耗。
当输入信号为高电平时，NMOS闭合，但是又不是一个理想的开关，所以有开关电阻RON。
所以，当输入为高电平时，静态功耗为下图所示：
当输入为低电平时，此时NMOS是理想的断开，此时电路如下图所示。
由于电路中没有电流，所以功耗为0。
所以对于本有NMOS构成的反相器而言，静态功耗为：
当忽略掉该直流导通电阻RON时，则静态功耗为：
如何理解mosfet静态功耗低，三极管功耗为什么又比mos管功耗高，速度比mos管慢？
功耗是因为三极管做开关时，要一个Ib维持。而mos管是压控device，基本上不消耗电流。
速度是因为，mos管压控时，得等大gate上电荷积累到vth后，电路才导通；而三极管是电流控制，导通时间比mos管的小的多。
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