记忆方法、绘图：
1. 与SUB衬底(工艺中为N-Well / P-Well)联接的一端均为S源极，另一端为D漏极。符号中三横线表示三沟道，相联的两条对应一端必为S源极；
2. 符号中箭头方向代表电子e的移动方向；Ep.N沟道MOS管多数载流子为电子e，工作时电子e流向沟道内侧，箭头向内，PMOS相反；
3. 寄生二极管方向与箭头(电子e)方向同向（类似并联电路电流方向一致）；
4. D漏极、S源极接高电势一端必定为寄生二极管指向的一端；
原理：
PMOS要形成P沟道(PNP)，所需载流子为空穴，开关速度慢——【助记】P上面"O"类似空穴；
NMOS要形成N沟道(NPN)，所需载流子为电子e，开关速度快——【助记】N转90度类似"e"；
特性：
1. NMOS N沟道载流子为电子e，形成导通沟道需要 + 电荷的吸引，因此高电平导通、低电平关闭；
2. PMOS P沟道载流子为空穴，形成导通沟道需要 - 电荷吸引，因此低电平导通、高电平关闭；
注：该方法仅供协助记忆，实际原理并非吸引，而是电场作用下电子在各原子间的移动。
制造工艺：
如图左侧为NMOS，右侧为PMOS。
1. PW（P-Well(P阱)）、NW（N-Well(N阱)），为NMOS、PMOS的衬底；
2. 为满足半导体工艺制程要求，衬底联接端与源、漏极设计在同一侧（为降接触电阻，接触位置离子注入浓度高、各接触点位置Dep金属硅化物）。
3.通过相互联接，可以组成最基础的逻辑门电路，与门、非门、或门、与非门、或非门、异或门等，从而实现芯片逻辑运算。
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