二极管反向恢复损耗与降低方法
二极管作为基础半导体器件，由 p 型半导体与 n 型半导体构成。在正向偏置状态下，电流可顺利通过二极管；而在反向偏置时，仅存在微小的反向漏电流。当反向电压超出二极管的反向击穿电压，二极管将发生反向击穿，可能导致器件损坏。为保护二极管免受反向击穿影响，可采用二极管反向恢复电路。
二极管作为基础半导体器件，由 p 型半导体与 n 型半导体构成。在正向偏置状态下，电流可顺利通过二极管；而在反向偏置时，仅存在微小的反向漏电流。当反向电压超出二极管的反向击穿电压，二极管将发生反向击穿，可能导致器件损坏。为保护二极管免受反向击穿影响，可采用二极管反向恢复电路。
一、二极管反向恢复电路原理
二极管反向恢复电路旨在减小反向恢复电流，通常由二极管与电感器组成。二极管正向导通时，电感器储存能量；当二极管从导通转为截止，电感器释放能量，维持电流流动，从而减小反向恢复电流。
二、二极管反向恢复损耗构成
二极管反向恢复损耗主要包含静态损耗与动态损耗两部分。
（一）静态损耗
静态损耗指二极管正向偏置时的功耗。正向截止状态下，电流流过电感器产生功耗，主要由正向偏置电压引起，与输入电流、输出电流及反向恢复时间无关。静态损耗与二极管导通电阻及正向偏置电压的平方成正比。
（二）动态损耗
动态损耗指二极管反向切换时的瞬态功耗，源于反向恢复电流的耗能过程。二极管由正向偏置突变为反向偏置时，电感器中储存的能量释放，形成反向恢复电流，涉及能量转换与耗散，产生功耗。动态损耗很大程度上取决于二极管特性，如反向恢复时间、反向恢复电流等。
三、二极管反向恢复损耗机理
从能量转换与耗散角度理解二极管反向恢复损耗机理。正向导通状态下，二极管储存能量，主要来自输入电流。二极管由导通转为截止时，储存能量释放，通过电感器与二极管内阻耗散。
具体而言，输入电压由正向偏置突变为反向偏置时，二极管处于非导通状态。电感器中电流因电感器自感特性无法突变，转向二极管，形成反向恢复电流。反向恢复电流在电感器与二极管内阻上产生压降，导致能量转换与耗散，包括磁能消耗（电感器中磁能转变为热能等）与电阻能消耗（反向恢复电流在二极管内阻上产生功耗）。
反向恢复电流大小与恢复时间长短均影响损耗。较大反向恢复电流意味着较大功耗，较长反向恢复时间意味着能量耗散需更长时间。设计二极管反向恢复电路时，需考虑这两个因素以减小损耗。
四、降低二极管反向恢复损耗的措施
为降低反向恢复损耗，可采取以下措施：
（一）选择低反向恢复电流二极管
反向恢复电流大小与二极管结构和材料相关，不同二极管反向恢复电流不同。选择低反向恢复电流二极管可减少损耗。
（二）优化反向恢复时间
选择反向恢复时间短的二极管可减少能量耗散时间，降低损耗。可通过改变二极管结构和工艺参数，或采用并联二极管方式优化反向恢复时间。
（三）选用合适电感器
电感器参数影响反向恢复损耗。合适电感器可减少反向恢复电流在电感器中的能量储存，降低损耗。根据应用需求和设计要求选择合适电感器。
综上所述，二极管反向恢复损耗机理涉及能量转换与耗散过程。静态损耗为正向偏置时的功耗，动态损耗为反向恢复时的瞬态功耗。通过选择合适二极管、优化反向恢复时间及使用合适电感器等措施，可有效降低二极管反向恢复损耗。
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280