烜芯微生产AO8810B场效应管,提供AO8810B的参数规格书,AO8810B中文资料与AO8810B场效应管的引脚图
AO8810B场效应管参数具体如下：
极性：双N沟道
Power Dissipation(w)功耗：0.83W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：7A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：20V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±10V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：0.4~1V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：0.4~1V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=4A,VGS=4.5V：Typ 12.3mΩ Max 17mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=4A,VGS=3.7V：Typ 13.3mΩ Max 20mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
AO8810B场效应管封装为：TSSOP-8
作用与应用
AO8810B场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。AO8810B广泛应用于以下领域：
锂电池充电保护：AO8810B常用于锂电池的充电保护电路，确保电池在充电过程中的安全和稳定。
电源管理：在电源管理电路中，AO8810B可以作为开关器件，控制电源的分配和转换，提高能效。
便携式设备：由于其小尺寸和低功耗特性，AO8810B非常适合用于便携式设备中，如智能手机、平板电脑等。
负载开关：AO8810B可以用作负载开关，控制电机和其他负载的启停，实现高效的能量管理。
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