20N04Q场效应管参数

烜芯微生产20N04Q场效应管,提供20N04Q的参数规格书,20N04Q中文资料与20N04Q场效应管的引脚图

20N04Q场效应管参数具体如下：

极性：N沟通

Power Dissipation(w)功耗：38W

Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：20A

Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：40V

Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±20V

Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：1V~ 3V

Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=20A,VGS=10V：Typ 14mΩ Max 20mΩ

Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=15A,VGS=4.5V：Typ 24mΩ Max 34mΩ

Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 175℃

20N04Q场效应管封装为：SOT-89

作用与应用

20N04Q场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。20N04Q广泛应用于以下领域：

电源管理：20N04Q可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。

信号放大：在音频放大器和低频放大器中，20N04Q可以作为信号放大的关键部件。

开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，20N04Q能提供高效的开关控制功能。

模拟开关：在模拟电路中，20N04Q可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。

充电管理：在移动设备和电动车等充电管理系统中，20N04Q用于充电过程中的电池保护和充电控制。

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