烜芯微生产650SJ32场效应管,提供650SJ32的参数规格书,650SJ32中文资料与650SJ32场效应管的引脚图

650SJ32场效应管参数具体如下：

极性：N沟通

Power Dissipation(w)功耗：85W

Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：11A

Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：650V

Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±30V

Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：2V~ 4V

Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=2A,VGS=10V：Typ 350mΩ Max 390mΩ

Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=A,VGS=V：Typ mΩ Max mΩ

Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃

650SJ32场效应管封装为：TO-252

作用与应用

650SJ32场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。650SJ32广泛应用于以下领域：

电源管理：650SJ32可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。

信号放大：在音频放大器和低频放大器中，650SJ32可以作为信号放大的关键部件。

开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，650SJ32能提供高效的开关控制功能。

模拟开关：在模拟电路中，650SJ32可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。

充电管理：在移动设备和电动车等充电管理系统中，650SJ32用于充电过程中的电池保护和充电控制。

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