SMBJ200A瞬态抑制二极管参数
烜芯微生产SMBJ200A瞬态抑制二极管,提供SMBJ200A规格书参数,SMBJ200A单向TVS管资料与SMBJ200A瞬态抑制二极管的作用
DEVICE MARKING CODE 丝印：PV
REVERSE STANDOFF VOLTAGE VRWM (V) 反向对峙电压：200V
BREAKDOWN VOLTAGE VBR (V) MIN. @ IT 崩溃电压（最小）：224V
BREAKDOWN VOLTAGE VBR (V) MAX. @ IT 崩溃电压（最大）：247V
TEST CURRENT (IT) mA 测试电流：1mA
MAXIMUM CLAMPING VOLTAGE @IPP VC (V) 最大嵌位电压：324V
PEAK PULSE CURRENT IPP (A) 峰值脉冲电流：1.9A
REVERSE LEAKAGE @ VRWM IR (μA) 反向漏电：1μA
SMBJ200A瞬态抑制二极管封装为：DO-214AA/SMB
SMBJ200A作用
瞬态电压钳位：快速响应： 当电路中出现瞬时高压（如纳秒级的ESD或微秒级的浪涌）时，TVS二极管能在 皮秒至纳秒级 内从高阻态切换到低阻态，将电压钳位在安全值（钳位电压VC），避免后端器件过压损坏。
能量泄放：吸收浪涌能量： TVS通过导通瞬间的大电流（如数十安培），将瞬态能量通过低阻抗路径泄放到地，保护敏感元件（如IC、传感器等）。
极性保护
单向与双向：
单向TVS管：仅抑制正向瞬态电压（如直流电源防护），反向瞬态时表现为普通二极管正向导通。
双向TVS管：可抑制正、负双向瞬态电压（如交流信号或差分线防护）。
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