常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子，但是从原理上看，似乎不然呀？
当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，构成反型层。
vGS越大，作用于半导体外表的电场就越强，吸收到P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能构成导电沟道，管子处于截止状态。
只要当vGS≥VT时，才有沟道构成。沟道构成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。
但是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K
Vgs=100V时
Vds=0和Vds=400V，两种状况下，对管子功用带来什么影响，若烧坏，缘由和内部机理过程是怎样的呢？
Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率
1）MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，抵达维持电压Vth，MOSFET 开端导电；
2）MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大；
Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积聚。
3）MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容停止充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小；
4）MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一同由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升；
电压测量
N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极）的确定：利用万用表的二极管档。若某脚与其他两脚间的正反压降均大于2V，即显示“1”，此脚即为栅极G。再交换表笔测量其余两脚，压降小的那次中，黑表笔接的是D极（漏极），红表笔接的是S极（源极）。
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