n沟道结型场效应管工作原理
Ugs对导电沟道和D i 的控制作用：
当Ugs= 0时，导电沟道未受任何电场的作用，导电沟道最宽，当外加Uds 时，D i 最大；当Ugs由零向负值增大时，在GS u 的反向偏置电压作用下，耗尽层将加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大，
外加Uds 时， D i 将减小；当│ Ugs│＝ U gs(off) 时，两侧的耗尽层在中间完全合拢，导电沟道被夹断；相应的栅－源极之间的电压称为夹断电压Ugs(off) 。可见，改变Ugs的大小可以有效控制导电沟道电阻的大小。
n沟道结型场效应管结构
n沟道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语Drain，因此也称D极）和源极（来自英语Source，因此也称S极）。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结），在原理上结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管是完全一样的。
烜芯微科技n沟道结型场效应管
1、产品简介
设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构，全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通内阻和高效超结MOSFET的需求。
2、产品特点
（1）更高耐压为系统设计和应用提供更充足余量
（2）更低的导通电阻，利于降低导通损耗
（3）极低的栅极电荷，提供更快的开关速度
（4）同规格下更小的封装体积，使系统更轻便
（5）雪崩能力测试，确保产品质量可靠
3、应用领域
（1）正激电路
（2）准谐振反激电路
（3）适配器
（4）太阳能逆变器
（5）工业整流
n沟道结型场效应管型号
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
65R950U/D/B/FS |
5 |
650 |
0.85 |
0.95 |
320 |
|
65R700U/D/FS |
7 |
650 |
0.6 |
0.7 |
360 |
|
60R380DS |
11 |
600 |
0.34 |
0.38 |
680 |
|
65R420U/D/B/FS |
11 |
650 |
0.38 |
0.42 |
680 |
|
65R300B/FS |
15 |
650 |
0.27 |
0.3 |
800 |
|
KCP7160A |
20 |
600 |
0.16 |
0.19 |
1440 |
|
65R190F/HS |
20 |
650 |
0.16 |
0.19 |
1440 |
|
60R070HS |
47 |
600 |
0.06 |
0.07 |
3100 |
|
KCX3650A |
60 |
500 |
0.05 |
0.056 |
3180 |
|
KCX9860A |
47 |
600 |
0.068 |
0.081 |
3100 |
|
KCX3650A |
60 |
500 |
0.05 |
0.056 |
3180 |
|
KCX3560A |
76 |
600 |
0.036 |
0.042 |
6400 |
|
KCX3250A |
100 |
500 |
0.026 |
0.031 |
6200 |