1、什么是肖特基二极管？
特基势垒二极管（代号SBD）简称肖特基二极管，它是低功耗、大电流、超高速半导体整流器件。其反向恢复时间( trr)极短，可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而工作电流却可达到几千安。
2、肖特基二极管结构特点
典型的肖特基二极管的内部结构如图1-61所示。它是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N外延层。阳极（阻挡层）材料选用贵金属铝。二氧化硅( Sio2)用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N层要高100倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄，加负偏压-E时，势垒宽度就增加，分别如图1-62 (a)、图1-62 (b)所示。
从结构上看，肖特基二极管的结构原理与PN结二极管有很大区别。通常将PN结整流管称作结型整流管，而把金属一半导体整流管叫作肖特基整流管。近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管已经问世，这不仅可节省贵金属，降低成本，还改善了产品参数的一致性。
肖特基二极管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此不存在电荷储存问题，反向恢复电荷Qrr→0，使开关特性得到明显改善。其反向恢复时间trr已能缩短到10ns以内，但其反向耐压值较低，一般不超过100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降的特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
肖特基二极管的典型伏安特性如图1-63所示，其正向导通压降介于锗管与硅管之间。表1-14列出4种肖特基二极管的参数，供读者参考。表中有3种型号的管子的内部结构属于共阴对管，因此有3个引脚，如图1-64所示，其中1、3脚为正极，2脚为负极。
3、肖特基二极管典型应用
肖特基二极管可广泛用于高频、低压、大电流整流，也可作为续流二极管使用。
①作开关电源中的续流二极管。图1-65所示是由L296型大电流单片开关稳压器构成的高效开关电源。L296的输入电压Vi为9～46V，最大输出电流IOM为4A，输出电压Vc为5.1～40V，最大输出功率为160W，电源效率可达90%。VD为7A肖特基二极管，起续流作用。当内部开关功率管导通时，VD截止，一部分电能储存在L中，当开关功率管截止时，VD导通，L中储存的电能经过VD继续向负载供电，维持输出电压不变。
②作逆变器的保护元件。新型逆变器中开始采用巨型晶体管GTR（也称电力晶体管），其工作频率优于可关断晶闸管GTO。但GTO容易被过压或过流损坏。通常可将肖特基二极管VD与GTR并联使用，VD可为反向电动势提供泄放回路。
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