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    • 发布时间:2021-10-12 15:23:51
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    200N04
    200N04/TO-220参数封装:点击查看200N04
    200N04封装有TO-220/TO-220F/TO-252
    200N04场效应管参数如下:
    200N04
     
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:40V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:200A
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃:116A
    Power Dissipation 功率损耗Pd:1.96W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=70A,VGS=10V:Typ 2.6mΩ Max 3.4mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    200N04场效应管/TO-220封装尺寸:
    200N04
    200N04场效应管/TO-220F封装尺寸:
    200N04
    200N04场效应管/TO-252封装尺寸:
    200N04
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