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5N10/SOT-89封装参数：点击查看
5N10场效应管参数具体如下：
极性：NPN
ESD Protected 防静电保护
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±25V
Continuous Drain Current 漏极电流Id ：5A
Power Dissipation 功率损耗Pd ：9.3W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=100V：Typ 11mΩ Max 12.5mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 12mΩ Max 13.5mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
5N10场效应管/SOT-89封装尺寸：
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