烜芯微生产3N150场效应管,提供3N150的参数规格书,3N150中文资料与3N150场效应管的引脚图
3N150场效应管参数具体如下：
极性：N沟通
Power Dissipation(w)功耗：1.5W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：3A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：150V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：1V~ 2.5V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：1V~ 2.5V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=3A,VGS=10V：Typ 325mΩ Max 420mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=2A,VGS=4.5V：Typ 360mΩ Max 468mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
3N150场效应管封装为：SOT23-3L
作用与应用
3N150场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。3N150广泛应用于以下领域：
电源管理：3N150可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大：在音频放大器和低频放大器中，3N150可以作为信号放大的关键部件。
开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，3N150能提供高效的开关控制功能。
模拟开关：在模拟电路中，3N150可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。
充电管理：在移动设备和电动车等充电管理系统中，3N150用于充电过程中的电池保护和充电控制。
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