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150N04 TO-252封装参数：点击查看
150N04场效应管参数具体如下：
封装类型：TO-252
极性：N沟道
极性：N沟道
漏极电流：150A
功率耗散：115W
栅极源极击穿电压：±20V
击穿电压：40V
存储温度：-55℃~+150℃
引脚数：3Pin
导通电阻ID=20A,VGS=10V：Typ 2.4mΩ Max 3.1mΩ
导通电阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ 3.5mΩ Max 4.7mΩ
导通电阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ 3.5mΩ Max 4.7mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
安装类型：SMT
二、作用与应用
150N04场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。由于其出色的电气性能，150N04广泛应用于以下领域：
电源管理：150N04可用于开关电源的开关控制部分，提高电源转换效率。
信号放大：在信号放大电路中，150N04通过其高性能和可调控的电流特性，实现对信号的精准放大。
电机驱动：适用于低电压、低电流的小型伺服电机控制或功率MOSFET门驱动器。
逻辑电路：150N04可用于实现数字逻辑功能，如与、或、非等逻辑门。
负载驱动：150N04可用于驱动小功率负载，如继电器、LED等。
150N04场效应管 TO-252封装尺寸：
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