一、MOS管静电击穿原理
MOS管输入电阻极高，栅-源极间电容极小，易受外界电磁场或静电感应带电。依公式U=Q/C，少量电荷能在极间电容上形成高电压，损坏管子。静电强烈时，电荷难泄放，致静电击穿。静电击穿分两类：电压型是栅极薄氧化层击穿，现针孔，使栅极与源极或漏极短路；功率型是金属化薄膜铝条熔断，致栅极或源极开路。JFET管输入电阻虽低于MOS管，但同属高输入电阻器件，静电防护需重视。
二、静电击穿原因剖析及解决策略
（一）原因
MOS管输入电阻高、栅源极间电容小，易感应带电。虽输入端有抗静电措施，但防护有限。
（二）解决措施
存储运输防护：存储运输时，用金属容器或导电材料包装，避免接触易产生静电高压的化工材料及化纤织物。
组装调试规范：工具、仪表、工作台应良好接地。操作人员避免穿尼龙、化纤衣物，接触集成块前先接地。矫直弯曲或焊接时，设备必须可靠接地。
电路设计优化：MOS电路输入端保护二极管导通电流容限一般为1mA，遇过大瞬态输入电流（超10mA）时，需串接输入保护电阻，可选用内部有保护电阻的MOS管。
焊接注意事项：焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端。通常断电后利用电烙铁余热焊接，先焊接地管脚。
栅极电阻配置：MOS是电压驱动元件，电压敏感。悬空的G极易受外部干扰导通，G极接10-20K下拉电阻可旁路干扰信号。此栅极电阻能为场效应管提供偏置电压，还能泻放G-S极间静电，防止高压致误动作或击穿。
三、MOS管静电击穿深入分析
静电放电使MOS管栅极与源/漏极间产生高电场强度，氧化层内电子穿越氧化层形成通道，引发漏电流。具体分两种类型：
反向击穿：施加反向电压于栅极与源/漏极间，电场强度足够大时，氧化层电子穿越氧化层，形成导通通道，漏电流增加。
通道击穿：源和漏极间施加足够高正向电压，电场强度足够大，氧化层电子穿越氧化层，连接源和漏极，短路通道，漏电流增加。
四、防止MOS击穿的有效措施
增加氧化层厚度：此举可提高击穿电压，降低击穿风险，但会牺牲设备性能，因厚氧化层减小栅极控制通道效率。
采用防击穿设计：现代MOS器件运用特殊结构与材料的防击穿设计，提升抗击穿能力。
运用静电保护器件：GS电阻能保护MOS管免受静电击穿。它连接栅极与源极，限制栅极电压上升速度，削弱静电放电影响，不过也可能影响设备性能。
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280