mosfet为什么可以并联,mosfet并联的注意事项介绍
并联优势
并联优势
MOSFET并联是电子电路设计中的常见手法，并联后可降低传导损耗，分散功耗，限制最大结温，提升系统散热与可靠性表现。
并联电流均衡原理
MOSFET导通电阻Rdson具正温度系数，温度升高电阻增大。并联时，初始低Rdson的器件电流占比高，发热多，电阻随之上升，电流自动重分配，各器件电流趋于均衡，避免个别器件过载，保障系统稳定可靠。
并联设计要点
直流工作与结温控制
并联MOSFET完全导通时，各器件电流与Rdson成反比。在相同温度和热阻条件下，初始低Rdson器件承载电流高、功率损耗大，温度上升快。因Rdson正温度系数作用，其电阻升高，电流减少，最终各器件电流分配趋于平衡，但初始低Rdson器件结温仍最高。设计需确保所有器件结温不超数据手册Tjmax。
PCB布局优化
元件到外表面热阻Rthjc是MOSFET固有属性，设计者可改变环境温度与元件到空气热阻Rthja。并联时，要降低热阻、统一元件参数，使功率分配均衡。PCB布局至关重要，可采用特定布局方式，如两个或三个MOSFET并联电路布局，确保每个器件散热与电气性能良好。
动态开关栅极驱动设计
动态开关时，栅极驱动电路对并联MOSFET性能影响显著。需保证栅极驱动电路电压、电流满足所有并联元件需求。如三个元件并联，每个需2mA驱动电流，总驱动电流至少6mA。同时，每个元件与栅极驱动电路间要串联栅极电阻，防止栅极耦合，确保各MOSFET接收一致驱动信号，避免开关时间不一致引发功率分配不均与热损坏。
感性负载能量泄放
并联MOSFET驱动感性负载时，关闭瞬间负载存储能量易冲击器件。感性负载能量可能超MOSFET漏极-源极雪崩击穿电压VBRDSS，且VBRDSS有范围值，低VBRDSS器件易先击穿，发热多，正温度系数使能量分配不均致失效。解决办法：一，确保每个MOSFET能在恶劣温度下安全承受总雪崩电流；二，用续流二极管泄放能量，保护MOSFET，但需考虑负载要求。
均流措施
实际应用中，MOSFET并联需重视均流问题。不均匀电流分布会导致器件过热，影响系统性能与寿命。可采取均流电阻、优化电路设计等均流措施，确保电流均匀分布，提升并联电路整体性能与可靠性。
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280