IGBT输出特性曲线的几个工作区：
一、正向阻断区（截止区）
当门极电压 Vge 低于开启门限电压 Vge（th）时，IGBT 内部的 MOS 沟道处于夹断状态，此时 IGBT 工作于截止区。尽管存在外部电压 Vce，但 IGBT 集电极 - 发射极之间仅有微弱的漏电流 Ices 流过。
二、有源区（线性放大区）
工作条件与原理 ：当门极电压 Vge 不小于开启门限电压 Vge（th），且 Vce 显著大于 Vge-Vge（th）时，IGBT 进入有源区。在此区域，流入 N - 基区的电子电流 In 受门极电压的调控，进而约束了 IGBT 内部 PNP 晶体管的基极电流，导致空穴电流 Ip 也受到相应限制，使得集电极电流 Ic 达到饱和状态（与 MOSFET 类似）。基于集电极电流主要受门极电压控制这一特性，该区域被称为放大区或有源区。
技术应用与损耗特点 ：常见的有源门极驱动或主动门极控制技术，正是针对 IGBT 在有源区的开关轨迹进行控制。然而，IGBT 在有源区内运行时损耗较大，应尽可能迅速地穿越此区域。
三、饱和区
当 Vge≥Vge（th），并且 Vce 小于 Vge-Vge（th）时，IGBT 处于饱和区。此区域的集电极电流基本不受门极电压影响，主要由外部电路决定。尽管该区域曲线与 MOS 类似，但命名不同。这是因为 IGBT 完全导通后的饱和压降主要受电导调制影响，而 MOS 的导通压降则主要取决于漏极电流，呈现出电阻特性。
四、雪崩击穿区
一旦 IGBT 的集电极 - 发射极电压 Vce 超过某一特定最高允许电压 Vbrces，IGBT 就会发生雪崩击穿现象，致使器件损坏。
五、反向阻断区
常规 IGBT 的反向特性 ：常见的非对称结构 IGBT，其反向电压阻断能力远不及正向电压阻断能力。在工业现场，由于多数负载为阻感负载，在 IGBT 关断瞬间，必须为负载提供续流回路。因此，IGBT 模块内部通常并联续流二极管，使得 IGBT 的反向特性主要由续流二极管的正向导通特性决定。
特殊需求与解决方案 ：在某些特殊应用场景下，当需要 IGBT 具备双向阻断能力时，就会用到逆阻 IGBT（RB-IGBT）。不过，这类器件较为罕见，一般难以采购到。此时，可采用 IGBT 与二极管串联的方式，以实现与逆阻 IGBT 相同的功能。
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