一、增强型MOS管概述
增强型MOS管（E-MOS管）是一种电压控制型半导体器件，在电路设计中具有广泛的应用。其工作特性表现为：当栅极端子没有电压施加时，通道展现最大的电导率；而当栅极端子两端施加正或负电压时，沟道的电导率会随之降低，从而实现对电流的有效控制。
二、增强型MOS管结构组成
衬底：选用低掺杂的P型硅片作为衬底，为后续的器件制作提供基础支撑。
源极与漏极：通过扩散工艺在衬底上形成两个高掺杂的N+区，并分别引出源极（S）和漏极（D）的电极，这两个区域是电子流入和流出的主要通道。
栅极：在半导体表面覆盖一层SiO₂绝缘层，其上再制作一层金属铝并引出电极，作为栅极（G）。通常将栅极与衬底连接，这样在衬底与栅极之间形成电容结构。当栅极与源极之间的电压发生变化时，会改变衬底靠近绝缘层处的感应电荷数量，进而控制漏极电流的大小。
三、增强型MOS管工作原理
（一）无电压施加状态
当栅极和源极之间未施加电压时，由于漏极和源极之间存在电压差，会有少量电流在漏源之间流动。此时，导电沟道尚未完全形成，电流较小。
（二）正电压施加过程
当在栅极（VGG）处施加正电压时，少数载流子（空穴）受到排斥，而多数载流子（电子）被吸引向SiO₂层。随着VGG处正电位的逐渐增加，一定量的漏极电流（ID）开始在源极和漏极之间流动。进一步提高VGG的正电位，来自源极的电子流动得到增强，并且受VGG电压的推动作用，漏极电流ID也随之增加。由于电子流的增强效应，这种模式被称为增强模式MOS管。
四、增强型MOS管的开启电压
增强型MOS管的开启电压大于零，这是其重要的电气特性之一。
其工作原理紧密依赖于栅源电压（VGS）的控制作用。当栅源之间未施加电压时，漏源之间的PN结处于反向偏置状态，无法形成有效的导电沟道，即使在漏源之间施加电压，也不会有显著电流通过。而当栅源之间施加的正向电压达到一定值（即开启电压VGS(th)）时，漏源之间形成导电通道，器件开始导通。
当VGS超过开启电压后，MOS管进入导通区，此时漏源电流（iDS）会随着VGS的增加而增大，同时输出电压（UDS）相应减小。如果漏源电阻（rDS）远小于负载电阻（RD），则输出电压UDS可近似为0V，表明MOS管处于良好的“接通”状态，能够有效地实现电路的通断控制功能。
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