一、驱动电路架构
本MOS管驱动电机电路采用Totem输出结构，其中上拉驱动管组合包含NMOS管N4、晶体管Q1以及PMOS管P5，下拉驱动管则由NMOS管N5担纲。电路中，CL表征负载电容，Cpar则为B点所关联的寄生电容。值得注意的是，虚线框标记的区域为自举升压电路模块。
二、电路设计逻辑
高电平驱动原理：借助自举升压结构巧妙抬升上拉驱动管N4的栅极（B点）电位，使其超越VDD+VTH，迫使NMOS管N4进入线性工作区域，进而显著削减VDSN4。最终，驱动输出高电平顺利达到VDD标准。
低电平驱动优势：在输出低电平时，下拉驱动管凭借自身特性即可工作在线性区，无需额外自举电路辅助，便能确保输出低电平稳定在GND水准，精准达成设计既定目标。
三、电机正反转控制策略
采用“双继电器+NMOS”驱动布局，选用SPDT（单刀双掷）继电器达成电机正反转控制。
（一）电机正转控制
当DO1处于低电平（0V）、DO2给出高电平（5V），同时PWM1端输入约10V直流电压（促使MOS管导通）时，继电器K1被激活，其接点A2与A1接通；而继电器K2保持静止，接点B2依旧与B3连接。此时，电流从A1出发，经由A2、负载电机端、B2、B3，最终经MOS管的D-S通道流向GND，驱动电机正向旋转。
（二）电机反转控制
反之，若DO1变为高电平（5V）、DO2切换至低电平（0V），且PWM1端持续输入约10V直流电压（保障MOS管导通），继电器K1不动作，接点A2与A3维持连接；继电器K2则被触发，接点B2与B1接通。电流流向随即调整为从B1开始，经B2、负载电机端、A2、A3，再通过MOS管的D-S通道汇入GND，实现电机反向运转。
（三）电机停转控制
当DO1、DO2同时保持低电平（0V），且PWM1端输入低电平0V（致使MOS管关断），电机随即停止转动。此时，电机借助B2-B3-A3-A2回路释放停转瞬间感应电流，以防感性负载引发异常。
（四）电机调速控制
若PWM1端输入信号由固定直流电压转变为幅值10V、占空比在0-100%范围可调的PWM脉冲，便可实现对电机转速的精准调节控制。
四、电路保护与器件选型要点
二极管保护功能：电路中D1、D2二极管在继电器线圈断电瞬间，为感应电流提供泄放回路，避免线圈电压突变对电路造成冲击。
MOS管开通速度调节：MOS管G极串联10R电阻，用于调控MOS管的开通速率，电阻值增大，开通速度相应减缓；反之，电阻值减小，开通速度提升。同时，MOS管GS端的10K电阻确保G极未受驱动信号控制时，MOS管可靠截止，杜绝误触发风险。
（一）继电器选型准则
继电器选型需依据电机额定功率/容量来定。其接点电压应不低于电机额定电压的1.2倍，接点电流需不小于电机额定电流的3倍，以充分保障继电器在电机运行过程中的可靠切换。
（二）MOS管选型要点
MOS管的VDS选型需至少达到电机额定电压的2倍，ID则至少要能承受电机额定电流的4-5倍。鉴于电机启动瞬间电流可达额定电流的3倍左右，在满足上述条件下，优先选择RDS较小的MOS管，这有助于降低管子发热量，但需权衡发热量与成本，做出综合决策。
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