一、PMOS电流流向
PMOS中,电流从源极(S)流向漏极(D),其导电沟道由带正电的空穴构成。当栅极(G)相对源极(S)呈负电压时,会吸引沟道中的空穴向漏极(D)移动,从而形成从源极到漏极的电流。


二、各极作用及原理
(一)D极(漏极)
作用:作为电流流出端。
原理:在PMOS工作时,电流从源极流向漏极。由于PMOS以空穴为主要载流子,电流方向与电子流动方向相反。漏极通常连接较低电位(如接地或负电源),以便电流从源极流向漏极。
(二)S极(源极)
作用:电流流入端。
原理:源极一般连接较高电位(如正电源),为空穴提供源。PMOS的开关状态主要取决于源极与栅极之间的电压差。当源极电位高于栅极电位时,PMOS导通;反之,当源极与栅极电位差不足时,PMOS关断。
(三)G极(栅极)
作用:控制PMOS开关状态。
原理:栅极控制沟道形成。栅极电压相对于源极电压的变化决定PMOS是否导通:
导通状态:栅极电压低于源极电压(一般低于阈值电压Vth),PMOS导通,空穴在源极和漏极间形成沟道,电流得以通过。
关断状态:栅极电压高于或等于源极电压,沟道关闭,PMOS处于关断状态,电流无法通过。
三、PMOS工作区域
截止区:当Vgs>Vth时,PMOS处于关断状态,此时无导电沟道形成,漏极电流Id=0。
线性区:当Vgs<Vth且Vds<Vgs-Vth时,PMOS导通,漏极电流Id与漏源电压Vds成正比。
饱和区:当Vgs<Vth且Vds>Vgs-Vth时,PMOS导通,此时漏极电流Id主要受栅源电压Vgs控制,与漏源电压Vds关系不大。
四、NMOS和PMOS工作区域判断
方法一:对NMOS和PMOS分别进行讨论,注意在PMOS中,相关电压值多为负数。


方法二:利用绝对值进行判断,比较各电压与阈值电压的大小关系,进而确定工作区域。

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