一、电压参数考量
漏源击穿电压（V(BR)DSS或VDSS）是MOS管关闭时漏极与源极间能承受的最大电压。选型时，VDSS应高于电路最大电压1.5至2倍。例如，电路最大电压50V，MOS管VDSS宜选75至100V。同时，最大栅源电压的选型也至关重要，需匹配驱动电路提供的栅源电压范围，并预留一定余量，以防电压波动或尖峰损坏MOS管。
二、电流参数考量
连续漏电流（ID）决定了MOS管能否满足电路的连续工作电流需求。通常，ID应大于电路最大连续负载电流的1.2至1.5倍。对于存在脉冲电流的电路，如开关电源启动瞬间或负载突变时，脉冲漏极电流（IDM）参数则更为关键，所选MOS管需能承受这些脉冲电流而不受损。
三、导通电阻（RDS(ON)）考量
低导通电阻可降低MOS管在导通状态下的功率损耗与发热。在高电流或低电压应用中，如电池供电设备、高效率电源等，应优先选择导通电阻小的MOS管。例如，在5V输入、10A输出的DC-DC转换器中，导通电阻10mΩ和50mΩ的MOS管，导通损耗分别为1W和5W，对电源效率和散热需求影响显著。散热条件有限时，更需选择低导通电阻的MOS管；散热良好时，也可适当放宽要求，但要权衡效率与成本。
四、电容参数考量
输入电容（CISS）、输出电容（COSS）和反向传输电容（CRSS）影响MOS管的开关速度。高频开关电路中，电容过大将延长开关时间，增加开关损耗，故应选择电容小的MOS管以提升开关速度和效率。同时，较大的输入电容需更强的驱动能力来快速充放电，若驱动电路能力有限，也应选择输入电容小的MOS管。
五、其他参数考量
单脉冲雪崩击穿能量（EAS）关乎MOS管在瞬态过压或脉冲电压下的可靠性。如电机驱动电路中，电机反电动势可能产生高瞬态电压，此时高EAS的MOS管更合适。此外，阈值电压（VGS（th））、栅源击穿电压（V（BR）GS）、栅极电荷（Qg）、最大功率耗散（PD）、最大结温（Tjmax）、热阻（ReJC）、安全工作区（SOA）、二次击穿和热稳定性、栅极电压范围、体二极管特性以及封装类型等参数，也应在选型中综合评估。
六、MOS管选型注意事项
沟道类型选择：低压侧开关宜选N-MOS，高压侧开关则宜选P-MOS。且所选MOS管的VDS应大于干线电压或总线电压，以保障MOS管不会因过压而失效。
额定电流确定：额定电流应满足负载在各种情况下承受的最大电流，即使系统出现尖峰电流，MOS管也需能承受。同时，要注意MOS管的导通电阻会随温度变化，进而影响功率耗散。
热要求评估：依据结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散乘积的公式，可算出系统的最大功率耗散，以此来评估MOS管的散热需求。
开关性能决定：栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容是影响开关性能的关键参数，这些电容会导致开关损耗，降低开关速度和器件效率。
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