一、FET概述

FET（Field Effect Transistor），即场效应晶体管，亦称场效应管。与传统晶体管（属电流控制器件）不同，FET是一种电压控制器件，具备极高输入阻抗以及较大功率增益，且因电压控制特性，噪声水平较低。从发展历程来看，FET是基于三极管原理研发而成的新一代放大元件。一个标准的FET包含三个重要电极，分别是栅极、漏极以及源极。

二、FET工作原理

与晶体管（电流控制）的工作机制有所区别，FET作为电压控制器件，其特性与电子管相似。它具有高输入阻抗、大功率增益以及低噪声等诸多优势，正因如此，FET在众多电子电路，尤其是音响领域，得到了愈发广泛的应用。

在结构方面，场效应管是一种单极型晶体管，仅含有一个 P-N 结。处于零偏压状态时，场效应管呈现导通状态。若在其栅极（G）与源极（S）之间施加反向偏压，也就是栅极偏压，那么在反向电场的作用下，P-N 结的耗尽区将会变厚，进而导致沟道变窄，最终使得漏极电流减小。当反向偏压达到特定值时，耗尽区会将沟道完全“夹断”，此时场效应管进入截止状态。此时的反向偏压被称作夹断电压，用 Vpo 表示。它与栅极电压 Vgs 和漏源电压 Vds 之间存在近似关系：Vpo=Vps+|Vgs|，其中 |Vgs| 表示 Vgs 的绝对值。

三、FET结构特点

从结构上看，FET主要由几个关键部分构成。以 P 沟 FET 为例，其 P 型半导体部分与 N 型半导体部分的布局与常规 FET 相比是互换的。

与双极晶体管相比，双极晶体管的基极与发射极之间、基极与集电极之间分别存在两个 PN 结，这意味着其间存在二极管结构。而 JFET 的栅极与沟道（沟道指的是输出电路中漏极与源极之间流经的路径）之间则存在 PN 结，因此可以认为其中存在二极管（这也是 JFET 被称为结型场效应管的原因）。

四、FET分类方式

按照结构特征，FET主要分为两类，一类是结型场效应管（JFET：Junction FET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET：Metal Oxide Semiconductor FET）。

进一步而言，依据电学特性，MOSFET 还可以细分为耗尽型与增强型两种类型。此外，它们又能根据导电类型进一步划分为 N 沟型（与双极晶体管中的 NPN 型相对应）以及 P 沟型（与双极晶体管中的 PNP 型相对应）。不过，从实际的 FET 型号来看，很难直接从型号上辨别出 JFET 与 MOSFET、耗尽型与增强型的区别。通常来说，N 沟器件的型号多为 2SK×××（也存在双栅的 3SK×××），而 P 沟器件则一般为 2SJ×××，以此来区分 N 沟与 P 沟器件。

五、极性判断方法

结型场效应管的判别 ：将万用表调至 R×1k 挡位，用黑表笔接触假设为栅极 G 的管脚，然后使用红表笔分别接触另外两个管脚。若测得的阻值相对较小（大约在 5 到 10 欧之间），随后交换红、黑表笔再次进行测量，若此时阻值均较大，则可判定该管为 N 沟道管，且黑表笔接触的管脚即为栅极 G，这说明之前的假设是正确的。采用类似的方法，也可以判别出 P 沟道的结型场效应管。

金属氧化物场效应管的判别 ：

栅极 G 的判定 ：选用万用表的 R×100 挡位，测量功率场效应管任意两个引脚之间的正、反向电阻值。在某一次测量过程中，若发现两引脚之间的电阻值为数百欧姆，那么这两个引脚所对应的分别是 D 极与 S 极，而未接入表笔的那个引脚则为 G 极。

漏极 D、源极 S 及类型判定 ：利用万用表的 R×1k 挡位，测量 D 极与 S 极之间的正、反向电阻值。其中，正向电阻值大约为 0.2×10kΩ，反向电阻值则在（5—∞）×10kΩ 的范围内。在测量反向电阻时，保持红表笔所接引脚不变，将黑表笔从所接引脚移开，与 G 极短暂触碰后，再重新接回原引脚。此时会出现两种情况：若万用表读数从原本的较大阻值变为零，则说明红表笔所接的是 S 极，黑表笔所接的是 D 极，并且使用黑表笔触发 G 极有效（能够使功率场效应管 D 极与 S 极之间的正、反向电阻值都变为 0Ω），由此可判断该场效应管为 N 沟道型；反之，若万用表读数仍保持较大值不变，则将黑表笔继续留在原引脚，改用红表笔去触碰 G 极，随后红表笔再接回原引脚。如果此时万用表读数从原来的较大阻值变为 0，则表明黑表笔所接的是 S 极，红表笔所接的是 D 极，并且使用红表笔触发 G 极有效，那么该场效应管则为 P 沟道型。

六、FET的应用领域

信号放大 ：场效应管通过栅极电压来控制源漏极电流，从而实现对电信号的有效放大。凭借其高输入阻抗（介于 10^9 Ω 至 10^12 Ω 之间）以及低噪声的特性，场效应管特别适用于高频放大器的设计与应用，例如在射频、音频电路以及低噪声前置放大电路中都能发挥重要作用。

电子开关应用 ：在数字电路以及电源管理领域，场效应管能够迅速切换导通状态，进而实现高效、可靠的开关功能。比如在电机驱动电路中，可以通过 MOSFET 来实现对大功率负载的精准控制；在逻辑门电路里，可用于构建诸如与非门（NAND）、或门（OR）等基础的数字逻辑系统。

电压控制与阻抗匹配 ：通过合理调节栅极电压，可以精确地控制漏极电流。基于这一特性，场效应管被广泛应用于电源稳压器、电压调节器等模拟电路中；同时，它还可以作为缓冲器使用，连接高阻抗信号源与低阻抗负载，从而有效改善高频信号的传输质量，确保信号的稳定与完整。