一、单结晶体管简述
单结晶体管，亦称基极二极管，是一种独特的三端半导体器件。其结构上仅有一个 PN 结作为发射极，却配备两个基极。在电子领域，凭借其 distinctive 特性，单结晶体管在特定电路设计中发挥着不可替代的作用。
二、单结晶体管构造解密
单结晶体管具备三个电极，分别被定义为第一基极 b1、第二基极 b2 以及发射极 e。尽管拥有三个电极，但其内部结构上只有一个 PN 结。具体而言，在一块高电阻率的 N 型硅基片的一侧两端，分别引出第一基极 b1 和第二基极 b2。而在硅片的另一侧，邻近 b2 的位置，通过扩散法掺入 P 型杂质，从而形成一个 PN 结，由此引出发射极 e。
两个基极 b1 和 b2 之间的电阻，本质上是 N 型硅片自身的电阻，被称作体电阻。依据单结晶体管的等效电路，两基极间的电阻 Rb1b2 实则为 Rb1 与 Rb2 之和，通常体阻值处于（5～10）KΩ 这一区间范围内。
就国产单结晶体管而言，常见型号涵盖 BT31、BT32、BT33 等一系列产品。其中，型号编码蕴含特定含义：“B” 代表半导体器件，“T” 指代特种晶体管，第三位数字 “3” 明确表明其拥有三个电极，而最后一位数字则标识了相应功耗，例如 100mW、200mW、300mW 等等。
三、单结晶体管特性解析
单结晶体管的伏安特性备受关注。在实际测试中，于单结晶体管的 e、b1 极之间施加一个正电压 Ue，同时在 b2、b1 极之间加载一个正电压 Ubb，通过测试所得的发射极电流 Ie 与发射极电压 Ue 的关系曲线，即为单结晶体管的伏安特性曲线。
从该伏安特性曲线中，可清晰洞察以下关键特性：
（一）截止状态
当发射极所施加的电压 Ue 低于峰点电压 Up（峰点电压一般在约 6～8V）时，单结晶体管的 Ie 电流仅表现为微弱的反向漏电电流，对应曲线的 AP 段。在此状态下，单结晶体管处于截止状态，此时 e、b1 极之间的等效阻值极为庞大，相当于一个断开的开关，几乎没有电流能够流通。
（二）负阻区
一旦发射极所加的电压 Ue 越过 Up 峰点电压，单结晶体管即刻开启导通进程。随着导通电流 Ie 的逐步增加，e 极对地的电压 Ue 却呈现出持续下降的趋势，这一现象对应曲线的 PV 段。特别值得指出的是，在曲线的 PV 段，其动态电阻值呈现负值，因此该区间被称为负阻区。负阻区本质上是一个过渡区域，持续时间极为短暂。随着 Ie 电流的不断攀升，电压 Ue 将降至迅速谷点电压 Uv。
（三）饱和区
当 Ie 增加至对应于谷点电压的谷点电流 Iv 之后，电压 Ue 随 Ie 的进一步增加而转为上升趋势，对应曲线的 VB 段。此时，动态电阻呈现正值，此区间被定义为饱和区。单结晶体管在饱和区工作时，e、b1 极之间的等效阻值变得非常小，相当于一个闭合的开关，电流能够顺畅流通。
综上所述，单结晶体管的 e、b1 极之间，相当于一个受发射极电压 Ue 控制的开关，这使得单结晶体管在振荡电路等设计中可作为核心的振荡元件。
四、单结晶体管关键参数详解
基极间电阻 Rbb ：即 Rb1 与 Rb2 之和。其定义为发射极处于开路状态时，基极 b1、b2 之间的电阻值，通常处于（5～10）KΩ 的范围区间。并且，其阻值会随着温度的上升而呈现增大趋势，不同型号的单结晶体管在阻值方面存在较为显著的差异。
分压比 η ：计算公式为 η=Rb1/(Rb1 + Rb2)，这是由管子内部结构所决定的一个常数，一般取值范围在 0.3 至 0.85 之间。
eb1 间反向电压 Vcb1 ：在 b2 处于开路状态时，在额定反向电压 Vcb2 的条件下，基极 b1 与发射极 e 之间的反向耐压值。
反向电流 Ieo ：在 b1 开路的条件下，在额定反向电压 Vcb2 作用下，eb2 间的反向电流大小。
发射极饱和压降 Veo ：在最大发射极额定电流流过时，eb1 间的压降数值。
峰点电流 Ip ：单结晶体管刚开始导通瞬间，发射极电压处于峰点电压时对应的发射极电流值。
五、单结晶体管极性判定指南
外观观察法 ：通常来说，从外观角度审视，引脚与外壳相通的电极，大概率为 b1 极；而与凸耳相靠近的电极，一般可判断为 e 极。
万用表测量法 ：
发射极 e 判定 ：鉴于单结晶体管也被称为双基极二极管，其拥有 e、b1、b2 三个电极。利用万用表的 R×1K 挡位，可对三个管脚的极性进行测量判定。具体操作为测量任意两个管脚的正向电阻与反向电阻，直至发现某两脚的正反向电阻值基本保持稳定（通常在约 10KΩ 至 30KΩ 之间，不同型号的管子阻值有所差异），此时可确定这两脚为两个基极，剩下的另一管脚即为发射极 e。
b1、b2 电极判定 ：在已成功判断出发射极 e 的基础上，将万用表量程调整至 R×1K 挡位，将黑表笔接至发射极 e，红表笔分别触碰另外两个电极。在两次测量过程中，万用表均会导通。在两次测量结果中，电阻值较大的那次测量中，红表笔所接触的电极即为单结晶体管的 b1 极。
六、单结晶体管的实际应用
（一）振荡电路设计
单结晶体管在振荡电路领域有着经典应用。其独特的负阻特性，使其能够与电容、电阻等元件协同工作，构成高效的振荡电路。通过合理配置电路参数，可实现稳定的频率输出。例如，在一些简易的时钟电路或信号发生器中，单结晶体管振荡电路能够以较低的成本和简洁的结构，提供所需的时钟信号或振荡信号。
（二）定时电路应用
基于单结晶体管的特性，还可将其应用于定时电路。通过与电容的充放电过程相结合，可实现特定的定时功能。在一些自动控制设备或电子玩具中，利用单结晶体管定时电路来控制某些动作的延时启动或停止，实现简单的自动化控制。
（三）脉冲产生电路
单结晶体管能够参与构成脉冲产生电路。借助其快速导通与截止的特性，配合其他电路元件，可产生具有一定幅度和宽度的脉冲信号。在数字电路或通信电路中，这些脉冲信号可作为触发信号或同步信号，保障整个电路系统的协调运行。
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280