在开关电源领域，深入理解死区时间这一关键概念至关重要，它对电源性能有着深远影响。
一、死区时间概念
开关电源中，死区时间特指开关管切换时两管关闭的时间差。这一设计旨在防止上下管同时导通引发短路，避免烧毁开关管，确保电路安全稳定运行。尽管死区时间的存在是出于保护目的，但其长短会显著影响开关电源的效率、稳定性及寿命，降低死区时间成为提升电源性能的关键路径。
二、死区时间成因
开关管特性 ：开关管的开关时间、截止时间、导通电阻等参数与死区时间紧密相关。开关时间越长，死区时间反而越短；截止时间越短，死区时间则越长。
负载电感 ：负载电感对电压、电流变化速率有抑制作用，还能储存电能，减少开关转换时交流电压变化时间，其值越大，死区时间越短。
电容因素 ：开关管切换时，电容可提供瞬时电流，缓冲电流变化，从而减小死区时间。
输入电压 ：输入电压影响电路中电流和电压变化速度，进而作用于死区时间。
三、死区时间影响
功率损耗 ：死区时间内两开关管关闭，电源瞬时不供负载电流，产生功率损耗，是开关电源面临的重要问题之一。
滞后现象 ：死区时间会导致开关管导通出现滞后，限制导通时间，使开关管响应控制信号延迟，降低电源工作效率。
EMC 问题 ：死区时间易引发电磁干扰噪声，干扰其他电路工作，对电源电磁兼容性构成挑战。
四、死区时间必要性
死区时间控制通过调节 MOSFET 驱动器导通时间，防止开关转换期间直通电流流过主功率 FET。确保低侧 FET 栅极驱动电压足够低后，高侧驱动器才可导通；在功率 FET 结处电压（Vdrain）足够低前，不允许低侧驱动器导开，TTL 兼容 DT 端子连接到功率 FET 结点，以保障电路稳定运行。
五、优化策略
选用低导通电阻 MOSFET 作为同步管替代续流二极管，可降低导通损耗，缩短死区时间。
通过增加通电区面积等手段，降低寄生二极管导通电阻，减少其对死区时间的影响。
合理设置死区时间，在防止上下管同时导通的前提下，调节死区时间大小以提升开关电源效率，找到性能与安全的平衡点。
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