一、基本特性

欧姆接触，是一种理想低阻抗接触。在欧姆接触中，金属和半导体交界面处的电阻值远小于半导体自身的电阻，使得在器件运作时，电压主要降落在活性区域而非接触面。其具备线性且对称的电流 - 电压（I-V）特性曲线，这意味着电流与电压呈正比关系，符合欧姆定律。电子能够自由地在金属与半导体之间穿梭，几无障碍，从而形成优异的电流通路，为电极、导线等需要低电阻连接的部位提供了理想选择。

肖特基接触则是高阻抗接触的典型代表。当金属与半导体接触形成肖特基接触时，二者交界面处会出现能带弯曲现象，进而构筑起肖特基势垒。此势垒宛如一道关卡，对电子的流动实施管控，致使接触电阻增大，电流 - 电压特性呈现非线性，展现出了明显的整流效应，为器件实现高速开关、低噪声以及高灵敏度等功能奠定了基础，被广泛应用于肖特基二极管、场效应晶体管等对性能要求苛刻的半导体器件中。

二、形成条件与机制

欲成就优良的欧姆接触，需满足双重先决条件。其一，金属与半导体之间应具备低势垒高度，以此提升界面电流中的热激发部分，增强电子跨越势垒的能力；其二，半导体需拥有高浓度的杂质掺入（N≥10¹² cm⁻³），这不仅收窄了半导体的耗尽区，令电子获得更多的直接隧穿机遇，同时达致降低接触电阻 Rc 的功效。不过，倘若半导体非硅晶，而是像砷化镓（GaAs）这类能量间隙较大的半导体材料时，因缺乏适配的金属，欲形成欧姆接触则需在半导体表面施行高浓度杂质掺杂，构造出 Metal-n⁺-n 或 Metal-p⁺-p 等特异结构。

肖特基接触的形成机制则与之大相径庭。当金属与半导体接壤，由于半导体的电子逸出功通常小于金属，电子便会从半导体向金属迁移，在半导体表层缔造一个由带正电且不可移动的杂质离子构成的空间电荷区域。此刻，电场矢量自半导体直指金属，形成阻碍，遏制电子持续向金属扩散。这一过程促使界面处半导体能带发生弯曲，塑造成一个高势能区，即肖特基势垒。肖特基势垒的高度，量化为金属与半导体逸出功的差值，它决定了电子穿越势垒的难易程度，进而支配了肖特基接触的电学特性。

三、器件应用与结构实例

欧姆接触，凭借其低电阻特性，成为众多半导体器件中实现高效电流注入与收集的关键环节。在各类半导体芯片内部，欧姆接触扮演着连接不同有源区与无源区的纽带角色，确保电流能够顺畅流通，保障器件的正常运转。从基础的分立元件到复杂的集成电路，欧姆接触的优质与否直接影响着器件的性能表现与可靠性水平。

肖特基二极管作为肖特基接触的经典应用实例，其结构精巧而独特。它总体上由金属与 N 型半导体组合而成。

阳极由金、银、铝、钼等金属材质构筑，搭配二氧化硅（SiO₂）用以消除边缘区域的电场效应，借此提升二极管的反向耐压性能；阴极则涵盖了低掺杂的 N⁻外延层、掺杂浓度为 N⁻外延层 100 倍且具备小通态电阻的 N 型基片、旨在减小阴极接触电阻的 N⁺阴极层以及阴极金属等多重结构。通过精细调控结构参数，能够在基片与阳极金属之间缔造出恰到好处的肖特基势垒，赋予肖特基二极管快速恢复、低正向压降等卓越特性，使其在高频、高效电源电路等领域大放异彩。

在肖特基二极管的构造中，肖特基势垒区所对应的 N 型半导体采用低掺杂浓度，而与阴极金属接触的 N 型半导体则呈高掺杂浓度态势，这一设计精妙地凸显了肖特基势垒与欧姆接触的本质差异。低掺杂浓度的 N 型半导体有助于构建显著的肖特基势垒，实现有效的电流整流与调控；而高掺杂浓度的 N 型半导体则致力于打造低电阻的欧姆接触，保障阴极电流的高效注入与收集，二者协同作用，方成就了肖特基二极管的卓越性能。这一构造布局，恰是半导体器件设计中巧妙运用不同类型金属 - 半导体接触特性，实现器件功能优化的生动例证，为半导体技术的持续发展与创新应用注入了源源动力。
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