晶体管的增速电容器
在采用电压驱动的 BJT（双极型晶体管）应用中，调整基极外接电阻和基极反向电压是影响抽取电流的关键因素。减小基极外接电阻以及增大基极反向电压能够在一定程度上增大抽取电流，这对缩短存储时间和下降时间是有益的。然而，若基极外接电阻过小，会使输入电流脉冲幅度增大，反而加深器件的饱和程度，导致存储时间延长；而基极反向电压过大，则会使发射结反偏严重，增加延迟时间。因此，在实际应用中，需要对基极外接电阻和基极反向电压进行全面的折中考量。
为了在减短延迟时间和上升时间的同时，避免存储时间延长以及其他副作用的产生，理想的基极输入电流波形应为阶梯波形式。这种波形能够有效克服上述矛盾，提高晶体管的开关速度。
在实际电路设计中，为了实现理想的基极电流波形，可以采用基极输入回路（微分电路），其中与基极电阻 RB 并联的电容器 CB 即为增速电容器。当输入电流波形为方波时，增速电容器 CB 的加入能够使实际基极输入电流波形接近理想的阶梯波波形，从而有效减短开关时间，提升晶体管的开关速度。
肖特基箝位技术
肖特基箝位是另一种提高晶体管开关速度的有效方法。肖特基二极管以其快速的开关速度和较小的正向压降（相较于 PN 结）而著称，因此被广泛应用于晶体管的开关速度提升中。
在基极 - 集电极之间接入肖特基二极管作为箝位元件，由于肖特基二极管的正向压降小于晶体管的 Vbe，大部分基极电流会通过肖特基二极管 D1 被旁路，使得流过晶体管的基极电流非常小，此时晶体管的导通状态接近截止状态。
从 B 点和 A 点的波形变化可以看出，晶体管由导通到截止的滞后时间几乎为零。而在截止到导通的上升沿不够陡峭，这是由于密勒效应导致晶体管输入电容增加所致。
肖特基箝位技术的实质是改变晶体管的工作点，减小电荷存储效应对晶体管开关速度的影响。与接入加速电容的方法不同，肖特基箝位电路不会降低电路的输入阻抗。因此，在驱动开关电路的前级电路驱动能力较低，且要求关断速度快而对开启速度要求不高的场合，肖特基箝位技术具有独特的优势。
通过增速电容器和肖特基箝位等技术手段，可以有效提升晶体管的开关速度，满足现代电子设备对高速开关性能的需求。在实际的电路设计中，应根据具体的电路要求和性能指标，合理选择和应用这些技术，以实现晶体管的最佳工作状态。
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