一、MOS管误导通的根源剖析
当MOS管由导通状态瞬间转换至关断状态之际，在源极与漏极之间会形成急剧的电压变化率dVDS/dt。这一快速变化的电压经由米勒电容（即栅漏寄生电容）的耦合作用，会在栅极形成额外的电流。该电流流经栅极电阻时，会造成栅极电压的升高，进而引发电压尖峰现象。若此尖峰电压逾越了MOS管的开启阈值电压Vgs(th)，便会触发MOSFET的误开通。尤其是在H桥电路架构中，这种误开通可能导致上管与下管同时导通，后果极为严重，轻则造成电路直通，重则致使一个或两个MOS管遭受损坏。
二、MOS管误导通与栅极击穿损坏的关联因素
MOS管的栅漏寄生电容，也就是米勒电容，是引发MOS管自开通现象的关键因素之一。当MOS管处于导通到关断的快速切换过程时，源漏极之间的陡峭dVDS/dt使得电流经米勒电容耦合至栅极，在栅极电阻上产生电压降，从而抬高了栅极电压，形成较大尖峰。当尖峰电压超过阈值，误开通便会发生。同时，若栅极的尖峰电压突破了栅源之间允许的最大电压，还会击穿MOS管的栅极氧化层，直接导致器件损坏。
三、防范MOS管误导通与栅极击穿损坏的有效举措
精准选择栅极串联电阻：MOS管的栅极通常会连接一个电阻，其作用不容小觑。一方面，可限制驱动电流，防止瞬间驱动电流过大超出驱动芯片的承载能力，避免芯片受损。毕竟MOS管开启时，对Cgs和Cgd的充电过程初始阶段电容近乎短路状态，电流极大，此时串联电阻能起到关键的限流与保护作用。另一方面，适当增大栅极串联电阻能降低开关导通速度，进而减小dVDS/dt，有效抑制栅极尖峰电压，防范误导通与栅极氧化层击穿。然而，栅极电阻过大则会降低开关速度，增加功率损耗与发热风险；反之，过小的电阻虽能提升开关速度，却易加剧电压尖峰。因此，栅极电阻的选择需在开关速度与尖峰电压之间寻求精妙平衡。
合理串联栅源电容：在栅极与源极之间接入电容，可吸收因dVDS/dt产生的栅漏电流，从而有效规避MOS管的误导通以及栅极击穿损坏问题，这是一种简单而有效的防护手段。
并联TVS二极管于栅源之间：
选用合适的TVS二极管（瞬态电压抑制二极管），并关注其钳位电压Vc的匹配度。TVS二极管反向并联于被保护元件两端，在正常工作时近乎截止，不影响电路常规运行；一旦电路遭遇瞬间高电压冲击，它能迅速反向击穿导通，将元件两端电压钳位在较低水平，为MOS管提供可靠的过电压保护。
选用合适的TVS二极管（瞬态电压抑制二极管），并关注其钳位电压Vc的匹配度。TVS二极管反向并联于被保护元件两端，在正常工作时近乎截止，不影响电路常规运行；一旦电路遭遇瞬间高电压冲击，它能迅速反向击穿导通，将元件两端电压钳位在较低水平，为MOS管提供可靠的过电压保护。
运用米勒钳位电路：通过在栅源之间增设一个MOS管来构建钳位电路。当电压低于设定的米勒电压时，比较器输出高电平，促使栅源间的MOS管导通，短路米勒电容及栅极电阻的电流，实现栅极电压的稳定控制。
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